SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발

SK하이닉스가 29일 세계 최초로 10나노급 6세대 D램 1c DDR5를 개발했다고 밝혔다. /SK하이닉스

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노(㎚·1나노는 10억분의 1)급 6세대 D램 개발에 성공했다. D램은 데이터를 읽고 기록하는 역할을 하는 대표적인 메모리 반도체다.

29일 SK하이닉스는 6세대 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램 반도체를 개발하는 데 성공했다고 밝혔다. DDR5 D램은 전력 소모가 적고 데이터 처리 속도는 빨라 대규모 데이터센터나 컴퓨터 중앙 처리 장치(CPU)에 주로 쓰인다.

반도체는 일반적으로 나노 수치가 작아질수록 처리 속도는 빨라지고 전력 효율은 개선된다. SK하이닉스의 6세대 DDR5는 기존 5세대 대비 전력 소비는 9% 이상 줄고, 데이터 처리 속도는 11% 빨라졌다. 1초에 5GB(기가바이트)짜리 FHD(풀HD) 영화 약 13편을 한꺼번에 처리할 수 있는 속도다. 같은 웨이퍼(반도체 원판)에서 30% 더 많은 반도체를 만들 수 있다. SK하이닉스는 “연내 양산 준비를 마치고 이르면 내년 초 본격 공급한다”며 “차세대 고대역폭메모리(HBM) 등 다른 메모리 제품으로 해당 기술을 확대 적용할 계획”이라고 밝혔다.

초미세 공정을 둘러싸고 메모리 반도체 업계의 경쟁은 치열해질 전망이다. 메모리 반도체는 데이터 저장 공간이 필요해 파운드리(시스템 반도체)와 비교해 선 폭을 줄이는 것이 더 힘들다. 5세대의 경우 업계 3위인 미국 마이크론이 2022년 세계 최초로 개발에 성공했고 양산은 1위인 삼성전자가 지난해 5월 최초로 시작했다. 6세대는 SK하이닉스가 이들보다 한발 앞섰다. 삼성전자도 연내 6세대 개발을 끝내고 양산에 들어갈 계획인 것으로 알려졌다.