日 민관 반도체 신소재 양산 속도…전력반도체 경쟁력 강화

SiC 전력반도체 제조용 웨이퍼. [한국전기연구원]

[헤럴드경제=유혜림 기자] 일본이 전력(파워) 반도체의 경쟁력 강화를 위해 민관이 힘을 합쳐 신소재 제품 양산 체제 구축에 나선다.

27일 니혼게이자이신문에 따르면 일본 반도체 소재 기업 레조낙홀딩스는 약 300억엔(약 2천700억원)을 투자해 야마가타현 공장 등에 신소재인 실리콘 카바이드(SiC) 기판 생산라인을 신설할 계획이다. 2027년 양산이 목표다.

경제산업성도 최대 103억엔을 보조한다. 일본은 다른 반도체 부문에 비해 전력반도체의 경쟁력이 높은 편이나 전력 변환 효율이 높은 SiC 전력반도체에 들어가는 SiC 기판의 90% 이상을 해외에 의존한다.

전력반도체는 전기를 활용하기 위해 직류·교류 변환, 전압·주파수 조정 등 전력의 변환·안정·분배·제어 기능을 수행하는 반도체다.

기존 실리콘(Si) 단일 소재의 전력반도체와 비교해 SiC 전력반도체는 전력 효율과 내구성 등이 뛰어나 인공지능(AI)이나 전기차 보급 등의 영향으로 수요가 급증하고 있다.

이에 따라 일본 정부와 기업이 함께 SiC 전력반도체의 공급망을 구축해 경쟁력을 강화하려는 것이라고 닛케이는 전했다.

세계 SiC 전력반도체 시장에서 8%가량의 점유율을 보유한 일본 반도체 업체 롬도 내년 1월부터 미야자키현의 공장에서 반도체용 기판 양산을 시작한다. 앞서 일본 업체 옥사이드(OXIDE)는 올해 3월 야마나시현에서 기판 양산 라인을 신설했다.

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