“D램 신규 투자 출발점은 HBM…주목할 반도체株는 OOO” [투자360]
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내년도 메모리 반도체 관련 신규 투자의 출발점이 고대역폭메모리(HBM)란 점에는 공감대가 형성된 가운데, 투자자들이 반도체 전공정 장비 관련주에 주목해야 한다는 증권가의 분석이 나왔다.
이 연구원은 D램 생산 공정 내 HBM이 차지하는 비중이 높아지면서 삼성전자와 SK하이닉스가 설비 증설을 위한 신규 투자에 적극 나설 것으로 내다봤다.
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전공정 장비 실적 회복세
[헤럴드경제=신동윤·김민지 기자] 내년도 메모리 반도체 관련 신규 투자의 출발점이 고대역폭메모리(HBM)란 점에는 공감대가 형성된 가운데, 투자자들이 반도체 전공정 장비 관련주에 주목해야 한다는 증권가의 분석이 나왔다.
이동주 SK증권 연구원은 27일 보고서를 통해 “메모리 투자 사이클에 있어 온기가 가장 먼저 나타나는 곳은 전공정 장비”라며 원익IPS, 주성엔지니어링, 유니셈, 에프에스티를 선호 종목으로 제시했다.
이 연구원은 전공정 소재·부품 관련주도 낙폭과대로 접근할 수 있는 종목들이 많다고 봤다. 그는 “전방 낸드플래시 가동률 회복 속도가 더디긴 하지만 회복세"라며 "관심 종목으로는 솔브레인과 레이크머티리얼즈”라고 짚었다.
이 연구원은 D램 생산 공정 내 HBM이 차지하는 비중이 높아지면서 삼성전자와 SK하이닉스가 설비 증설을 위한 신규 투자에 적극 나설 것으로 내다봤다. 그는 “올 연말 HBM이 전체 D램 생산능력(Capa)에서 차지하는 웨이퍼 비율은 14%이고, 0나노급 4세대(1a) 나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 이상 공정에서는 35%를 차지하게 된다”면서 “양사의 실리콘관통전극(TSV) 증설 계획도 공격적인 만큼 내년 HBM 생산능력 배분은 훨씬 더 늘어날 것”이라고 내다봤다.
이 연구원은 올해 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 신규 투자 규모가 각각 15~30K, 40~50K에 이르고, 내년에는 각각 100K이상, 70~80K로 늘어날 것으로 예측했다.
als@heraldcorp.com
realbighead@heraldcorp.com
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