마우저-온세미, SiC 전력 전자장치 조명한 전자책 발간

(지디넷코리아=이나리 기자)전자부품 및 반도체 유통기업인 마우저 일렉트로닉스는 반도체 기업 온세미와 협력해 실리콘 카바이드(SiC) 반도체의 이점을 조명한 전자책을 발간했다고 16일 밝혔다.

SiC 디바이스는 뛰어난 소재 특성으로 보다 효율적으로 전원 시스템을 지원할 수 있어 전력 전자장치 분야에서 각광을 받고 있다. 

사진=마우저

온세미는 ‘지속 가능한 미래를 지원하는 SiC 전력 전자장치(Enabling a Sustainable Future with Silicon Carbide Power Electronics)’ 전자책에서 SiC의 이점과 전기자동차 및 재생에너지 애플리케이션, 올바른 SiC 파트너 선택의 중요성 등을 소개한다. 

온세미는 SiC 디바이스를 제공하고 있다. 전자책에서는 NTBG014N120M3P 엘리트SiC(EliteSiC) MOSFET과 같은 온세미의 전력 제품에 손쉽게 접근할 수 있는 링크를 제공한다. 

NTBG014N120M3P는 전력 애플리케이션에 최적화된 1200V의 M3P 플래너 SiC MOSFET이다. 플래너 기술은 음(-)의 게이트 전압으로 안정적인 동작이 가능하며, 게이트 스파이크를 턴오프할 수 있다. 이 디바이스는 태양광 인버터와 전기차 충전소, 에너지 저장 시스템 및 스위치 모드 전원공급장치(SMPS) 등에 매우 적합하다.

NVBG1000N170M1 엘리트SiC MOSFET은 고속 스위칭 애플리케이션에 최적화된 1700V의 M1 플래너 디바이스이다. 이 디바이스는 AEC−Q101 인증 및 PPAP 지원을 갖추고 있어 전기차(EV) 및 하이브리드 전기차(HEV) 애플리케이션에 매우 적합하다. EV 및 HEV에서 SiC 디바이스는 더 작고 가벼우면서 효율적인 전력 솔루션으로 전환할 수 있는 이점을 제공한다. 에너지 소비가 적기 때문에 고가인 배터리를 더 적게 사용할 수 있게 해준다.

NCP51705 게이트 드라이버는 기본적으로 SiC MOSFET 트랜지스터를 구동하도록 설계됐다. 이 드라이버는 SiC MOSFET 디바이스에 대해 허용가능한 최대치의 게이트 전압을 제공할 수 있다. 또 턴온 및 턴오프시 높은 피크 전류를 제공하여 스위칭 손실을 최소화한다.

이나리 기자(narilee@zdnet.co.kr)