SK하이닉스, 美서 1.3조원 보조금 받는다

인디애나주 공장 건설 혜택
"북미 HBM 전진 기지로 육성"

38억7000만달러(약 5조3000억원)를 투자해 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 차세대 고대역폭메모리(HBM) 공장을 짓는 SK하이닉스가 미국 정부로부터 총 9억5000만달러의 현금 보조금(4억5000만달러)과 저금리 대출(5억달러)을 받는다. SK하이닉스는 웨스트라피엣 공장을 북미 HBM 시장 공략을 위한 전진 기지로 집중 육성할 계획이다.

미국 상무부는 SK하이닉스에 현금 보조금 4억5000만달러와 5억달러 규모 저금리 대출을 제공하는 내용의 예비거래각서(PMT)에 서명했다고 6일 발표했다. 한화로 1조3000억원 규모다. 지난 4월 SK하이닉스는 “미국 인디애나주 웨스트라피엣에 인공지능(AI) 메모리인 HBM용 최첨단 패키징(여러 칩을 한 칩처럼 작동하게 하는 공정) 생산 기지를 건설한다”며 “퍼듀대 등 현지 연구기관과 반도체 연구개발(R&D)에 협력하기로 했다”고 발표했다. SK하이닉스가 HBM 생산을 위한 최첨단 패키징 공장을 해외에 짓는 것은 이번이 처음이다. 2028년 하반기 양산이 목표다.

미국 재무부는 상무부와 별도로 SK하이닉스 투자금의 최대 25%까지 세제혜택을 제공한다. SK하이닉스는 이날 “미국 정부의 지원에 깊은 감사의 뜻을 전하며 앞으로 보조금이 최종 확정될 때까지 남은 절차를 준수하는 데 만전을 기하겠다”며 “인디애나 생산기지에서 AI 메모리 제품을 차질 없이 양산할 수 있도록 건설 작업을 진행하겠다”고 밝혔다.

미국의 보조금 규모가 결정되면서 SK하이닉스의 웨스트라피엣 최첨단 패키징 공장 건설에 속도가 붙을 것으로 예상된다. SK하이닉스는 퍼듀대 등 인디애나주 명문대에서 반도체 전문 인력을 육성해 HBM 경쟁력을 끌어올릴 계획이다.

내년 양산할 예정인 6세대 HBM인 ‘HBM4’부터는 고객 맞춤형 제품의 수요가 더욱 커질 것으로 전망된다. 웨스트라피엣 공장이 HBM 신제품 개발과 북미 대형 고객과의 협업을 위한 전진기지가 될 것으로 전망된다.

황정수 기자 hjs@hankyung.com