이규제 SK하이닉스 부사장 “차세대 패키징 기술로 HBM 1등 이어갈 것"

“어드밴스드 MR-MUF, 하이브리드 본딩 기술 개발 주력”

이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장./SK하이닉스 제공

“하반기부터 인공지능(AI) 빅테크 기업들에 공급되는 12단 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)에 적용될 어드밴스드 매스 리플로우-몰디드 언더필(MR-MUF) 기술은 SK하이닉스가 HBM 시장 1등 지위를 공고히 하는 데 힘이 돼 줄 것입니다.”

5일 이규제 PKG제품개발 담당 부사장이 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰를 통해 “기존 MR-MUF 방식으로는 12단 HBM3의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상 등을 다루기 쉽지 않아 MR-MUF 기술을 개선한 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다”며 이같이 말했다. 이 부사장은 HBM 개발 공적으로 지난 6월 회사의 HBM 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 ‘2024 SUPEX추구대상’을 수상했다.

이 부사장은 SK하이닉스가 지난해 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공하며 HBM 시장 점유율 1위 자리를 차지할 수 있었던 배경으로 SK하이닉스의 패키지 기술인 ‘어드밴스드 MR-MUF’를 꼽았다. 이 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고, 굳히는 것을 말한다. SK하이닉스는 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고, 열 방출에도 효과적이라고 설명했다.

SK하이닉스는 내년 하반기 양산 예정인 차세대 HBM인 ‘HBM4′도 회사가 강점을 가진 어드밴스드 MR-MUF와 차세대 ‘하이브리드 본딩 방식을 모두 검토 중이다. 하이브리드 본딩은 칩을 적층할 때, 칩과 칩 사이에 범프를 형성하지 않고 직접 접합시키는 기술이다. 이를 통해 칩 전체 두께가 얇아져 고단 적층이 가능해지며, 16단 이상의 HBM 제품에서 필요성이 검토되고 있다.

이 부사장은 “얼마 전 MR-MUF가 고단 적층은 구현하기 어렵다는 소문이 업계에 돌았던 적이 있지만, 우리는 MR-MUF가 고단 적층에도 최적의 기술이라는 사실을 고객과 소통하는 데 힘을 쏟았다”며 “방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속적으로 고도화하는 한편, 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획”이라고 했다.

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