차세대 반도체 경쟁력 '레벨업'

나노씨엠에스, SiC 설비 구축
年 180t 규모 필수소재 양산

제2공장 실리콘 카바이드 시설. 나노씨엠에스

화학 소재 기업 나노씨엠에스가 차세대 반도체인 실리콘 카바이드(SiC) 가공 시설 구축을 마치고 이달부터 본격적으로 가동을 시작했다고 1일 밝혔다.

나노씨엠에스는 지난 4월 30억원을 투자해 전력 반도체 웨이퍼 소재 가공 설비 구축에 나섰다. 회사 관계자는 "8월 가동을 목표로 충남 공주시 탄천면에 위치한 제2공장에 해당 설비 구축을 진행해 지난달 말 실리콘 카바이드 가공 설비 구축을 완료했다"며 "이번 시설 가동으로 실리콘 카바이드 전력 반도체 분야에서 기술력을 한층 강화해 고성능 전력 전자와 반도체 시장에서의 경쟁력을 높일 것"이라고 말했다.

나노씨엠에스는 최신 가공 기술을 통해 실리콘 카바이드 파우더(Powder) 가공 처리를 고도의 정밀도로 수행할 수 있게 됐다. 실리콘 카바이드는 높은 열전도율과 강도, 내마모성, 전기적 특성 덕분에 전력 전자, 반도체, 발광다이오드(LED), 자동차를 비롯한 다양한 분야에서 핵심 소재로 각광받고 있다.

이번 시설 가동으로 연 180t의 글로벌 실리콘 카바이드를 생산하면서 반도체 시장에서의 입지를 더욱 확고히 하게 됐다는 평가다. 이번 프로젝트는 특히 전력 전자와 반도체 산업에서의 높은 수요를 충족시킬 수 있는 중요한 전환점이 될 전망이다. 신동근 나노씨엠에스 대표는 "앞으로도 지속적인 연구개발(R&D)과 혁신을 통해 고객에게 최상의 솔루션을 제공하겠다"고 말했다.

[양연호 기자]