램리서치, 극저온 식각 기술 '램 크라이오 3.0' 출시…"3D 낸드 확장 가속화"

구조 임계치수 편차 0.1% 미만 유지·최대 10µm 깊이 식각 가능

[아이뉴스24 권용삼 기자] 램리서치는 양산성이 검증된 3세대 극저온 유전체 식각 기술 '램 크라이오 3.0'을 출시하며 3D 낸드 플래시 메모리 식각 분야의 리더십 확대에 나섰다고 1일 밝혔다.

램리서치 '램 크라이오 3.0' 프로세스 이미지. [사진=램리서치]

'램 크라이오 3.0은' △극저온의 공정 온도 △고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터 기술 △표면 화학의 혁신이 결합된 결과물로, 업계 최고 수준의 정밀도와 프로파일 제어를 달성했다.

세샤 바라다라잔 램리서치 글로벌 제품 사업부 수석 부사장은 "'램 크라이오 3.0'을 통해 우리는 고객들이 3D 낸드 1000단 달성을 위해 필요한 길을 닦고 있다"며 "이번에 소개하는 최신 기술은 3D 낸드 생산에 있어 또 다른 혁신의 기점"이라고 말했다.

이어 "이 기술은 환경 영향을 줄이면서 기존 유전체 공정 대비 2.5배의 식각률을 달성하고, 옹스트롬 수준의 정밀도로 고종횡비 피처를 일정하게 구현한다"며 "'램 크라이오 3.0'은 고객사들이 인공지능(AI) 시대의 낸드 제조의 주요 난제를 극복하는데 필요한 식각 기술"이라고 강조했다.

기존 3D 낸드 스케일링은 주로 메모리 셀을 수직으로 적층하는 방식으로 이뤄져 왔다. 이에 깊고 좁게 파는 고종횡비 메모리 채널 식각 기술이 사용돼 왔다. 문제는 이 과정에서 구조의 목표 프로파일에 원자 수준의 미세한 편차가 발생하면서 소자의 전기적 특성은 물론 수율에까지 부정적인 영향을 미쳤다.

이에 '램 크라이오 3.0'은 램 고유의 고출력 파워 고밀도 플라즈마 리액터와 공정 개선, 새로운 식각 가스 사용이 가능한 초저온 환경을 활용해 구현한다. 또 램리서치의 최신 '벤텍스 유전체' 시스템의 확장 가능한 고출력 펄스 플라즈마 기술과 결합 시 식각 깊이와 프로파일 제어가 크게 향상된다. 3D 낸드 제조사들은 '램 크라이오 3.0'을 사용하면 상단부에서 하단부까지 구조의 임계치수 편차를 0.1% 미만으로 유지하며 최대 10마이크론(µm) 깊이의 메모리 채널을 식각할 수 있다.

시장조사업체 카운터포인트리서치 공동 설립자 겸 연구 담당 부사장인 닐 샤는 "AI는 클라우드는 물론 엣지 컴퓨팅에서의 플래시 메모리 성능과 용량의 수요를 폭발적으로 증가시키고 있다"며 "이로 인해 칩 제조사들은 2030년까지 3D 낸드1000단 도달 경쟁에서 낸드 플래시를 확장하고 있다"고 설명했다.

이어 "이를 가능케 할 램리서치의 '램 크라이오 3.0'은 기존의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 기술"이라며 "채널폭의 50배가 넘는 깊은 메모리 채널을 거의 완벽에 가까운 정밀도와 제어로 식각함으로써 0.1% 미만의 프로파일 편차를 달성했다"고 강조했다. 그러면서 "이 기술적 혁신은 첨단 3D 낸드의 수율과 전반적 성능을 크게 개선하고 AI 시대 칩 제조사들의 경쟁력을 강화시킬 것"이라고 강조했다.

/권용삼 기자(dragonbuy@inews24.com)