[컨콜] 삼성전자 "3나노 1세대 수율 성숙단계 도달"

장민권 2024. 7. 31. 10:59
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삼성전자는 31일 올해 2·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "당사 3나노미터(1nm=10억분의1m) 게이트올어라운드(GAA) 1세대 공정은 수율(양품 비율)과 성능이 성숙단계에 도달해 안정적으로 양산하고 있다"며 "3나노 2세대 GAA는 웨어러블 제품을 시작으로 하반기 모바일 제품을 본격 양산할 예정"이라고 밝혔다.

삼성전자는 "3나노 GAA 양산 경험을 바탕으로 2025년 첫 번째 2나노 공정 양산 예정"이라면서 "추가 전력·성능·면적(PPA)을 개선한 2나노 공정을 2026년까지 준비하겠다. 인공지능(AI), 고성능컴퓨팅(HPC)용 백사이드 공정을 2027년까지 준비할 것"이라고 전했다.

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서울 삼성전자 서초사옥.

서울 삼성전자 서초사옥.
[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 31일 올해 2·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "당사 3나노미터(1nm=10억분의1m) 게이트올어라운드(GAA) 1세대 공정은 수율(양품 비율)과 성능이 성숙단계에 도달해 안정적으로 양산하고 있다"며 "3나노 2세대 GAA는 웨어러블 제품을 시작으로 하반기 모바일 제품을 본격 양산할 예정"이라고 밝혔다.

삼성전자는 "3나노 GAA 양산 경험을 바탕으로 2025년 첫 번째 2나노 공정 양산 예정"이라면서 "추가 전력·성능·면적(PPA)을 개선한 2나노 공정을 2026년까지 준비하겠다. 인공지능(AI), 고성능컴퓨팅(HPC)용 백사이드 공정을 2027년까지 준비할 것"이라고 전했다.
#반도체 #D램 #HBM

mkchang@fnnews.com 장민권 기자

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