SK하이닉스, 용인 반도체클러스터에 9조4천억 투자

용인 반도체 클러스터 조감도. SK하이닉스 제공

에스케이(SK)하이닉스가 용인 반도체 클러스터 반도체 생산공장(팹)과 클러스터 초기 운용에 필요한 부대시설 건설 등을 위해 9조4천억원을 투자한다.

에스케이하이닉스는 26일 이사회를 열어, 이런 내용의 투자 규모를 확정했다고 밝혔다. 이에 따라 용인 클러스터에 들어서는 첫번째 반도체 생산공장(1기 팹)을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공한다. 용인 클러스터는 경기도 용인시 원삼면 일대 415만㎡ 규모 터에 조성되며, 지금은 땅을 평평하게 하는 ‘정지 작업’과 인프라 구축 작업이 진행되고 있다. 에스케이하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 생산공장 4개를 짓고, 국내외 소재·부품·장비(소부장) 기업 50여곳과 반도체 협력단지를 구축할 계획이다.

이날 이사회가 승인한 투자액은 1기 팹 외에도 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 운영에 필요한 건설 비용이 포함됐다. 투자는 설계 기간과 업무지원동 공사 기간 등을 고려해 오는 8월부터 2028년 말까지 순차적으로 이뤄진다.

에스케이하이닉스 관계자는 “기존에 정해진 일정대로 추진하기에 앞서 이사회의 투자 의사 결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고 급증하는 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 말했다.

에스케이하이닉스는 이곳 1기 팹에서 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 디(D)램을 생산할 예정이다. 또한 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’도 1기 팹 내부에 구축한다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정 장비를 갖춘 연구시설로, 이를 통해 실제 생산 현장과 비슷한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원할 계획이다.

김경욱 기자 dash@hani.co.kr