SK하이닉스, 용인 반도체 클러스터에 9.4조 투자 의결
김지성 기자 2024. 7. 26. 17:03
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경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지 작업과 인프라 구축 작업이 진행 중입니다.
SK하이닉스는 용인 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했습니다.
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▲ 공사 진행 중인 용인 반도체 클러스터
SK하이닉스가 글로벌 인공지능(AI) 반도체 생산 거점이 될 용인 클러스터의 1기 팹(반도체 생산공장)과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설을 위해 9조 원 규모의 투자를 확정했습니다.
SK하이닉스는 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 첫 번째 팹과 업무 시설을 건설하는 데 9조 4천억 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔습니다.
SK하이닉스는 내년 3월 용인 클러스터에 첫 팹을 착공해 2027년 5월 준공할 계획입니다.
이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 수처리 시설, 공동구, 변전시설 등 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐습니다.
경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지 작업과 인프라 구축 작업이 진행 중입니다.
SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 소재·부품·장비 기업 50여 곳과 함께 반도체 협력단지를 구축할 방침입니다.
SK하이닉스는 용인 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했습니다.
(사진=SK수펙스추구협의회 제공, 연합뉴스)
김지성 기자 jisung@sbs.co.kr
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