[Small Read] 회로·전력선 분리하는 후면 전력 공급망 기술… 2나노 파운드리에 적용

삼성전자 직원들이 경기 화성시 반도체 공장에서 실리콘 웨이퍼를 들여다보고 있다. /삼성전자

고성능 인공지능(AI) 반도체가 뜨면서 후면 전력 공급망(BSPDN·Back Side PDN) 기술이 각광받고 있다. 삼성전자와 대만의 TSMC, 미국의 인텔 모두 나란히 2나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 파운드리 공정부터 이 기술을 적용하겠다고 밝혔다.

후면 전력 공급 기술은 웨이퍼 앞면이 아니라 뒷면에 전력이 공급되도록 하는 구조를 갖춘 기술을 말한다. 그동안 반도체는 전기회로와 전력선이 모두 웨이퍼 위에 배치됐다. 하지만 점점 미세화될수록 회로 간격이 점점 줄어들며 회로와 전력선 사이에 불필요한 간섭이 생기는 비효율이 발생해왔다. 이 때문에 전력선을 웨이퍼 뒷면에 배치해 회로와 전력선을 분리하는 기술이 뜨는 것이다. 인텔 관계자는 “회로와 전력선을 분리하면 깨끗하고 안정적인 전력 공급이 가능해진다”고 말했다.