삼성·SK, 美 'FMS 2024' 참가…차세대 AI 솔루션 제시

AI 위한 고용량 낸드 기술과 제품의 '향연'
삼성-SK하닉, 낸드 '적층 경쟁' 상황 관심사

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 내달 6~8일(현지시각) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 글로벌 반도체 행사 'FMS(Future of Memory and Storage) 2024'에 참가한다.

17일 업계에 따르면 두 업체는 올해 기조연설을 맡아 다양한 AI 메모리 솔루션을 제시할 예정이다.

삼성전자는 행사 첫날 'AI 혁명:메모리 및 스토리지에 대한 새로운 요구'를 주제로 한 기조연설을 맡았다. 짐 엘리엇 미주총괄 부사장, 오화석 솔루션제품엔지니어링팀 부사장, 송택상 메모리사업부 D램 솔루션팀 상무가 참여한다.

SK하이닉스도 같은 날 기조연설을 진행한다. 아직 연설자는 확정되지 않았다. 지난해 행사에서는 최정달 낸드개발담당 부사장과 안현 솔루션개발담당 부사장이 '멀티모달 AI(Multimodal AI) 시대를 구현하는 업계 최고의 4D 낸드 기술 및 솔루션'을 주제로 연설했다.

두 회사는 올해도 첨단 낸드 플래시 메모리 기술을 소개할 것으로 예상된다.

삼성전자는 최근 양산한 9세대(280단대) 낸드를 기술을 소개한다. 낸드는 고용량 제품을 만들기 위해, 셀(데이터 저장단위)를 수직으로 쌓는 방식으로 진화하고 있다.

삼성전자의 이 제품은 원가 경쟁에서 유리한 '더블 스택(Double Stack)' 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로 성능과 전력 효율을 모두 개선했다.

삼성전자는 올 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정이다. QLC는 셀 하나에 4비트를 저장해, 3비트를 저장하는 기존 TLC보다 데이터 저장량이 많다. 또 온디바이스 AI 시대에 최적화된 SSD(솔리드스테이트드라이브) 'PM9E1'도 공개한다.

[서울=뉴시스] SK하이닉스가 FMS 2023에서 공개한 세계 최고층 321단 4D 낸드 개발 샘플. (사진=SK하이닉스) 2023.08.09. photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

SK하이닉스의 신기술 공개 여부에도 관심이 쏠린다. 지난해 SK하이닉스는 이 행사를 통해 321단 낸드 플래시 메모리를 개발 중인 사실을 깜짝 공개해 눈길을 끌었다.

SK하이닉스는 이번 행사에서 낸드 개발 경과를 추가로 발표할 것으로 기대된다. 이 제품은 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아진다.

이와 함께 고용량 제품을 만드는 데 유리한 QLC 낸드 제품 개발 계획도 소개할 전망이다. SK하이닉스는 현재 60TB eSSD의 출시를 계획 중이다.

FMS는 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드 업계 세계 최대 규모의 행사로, 혁신적인 신제품과 최신 기술을 공유하는 장이다.

올해는 낸드를 포함해 D램 등 전 메모리로 규모를 확장했다. 고대역폭메모리(HBM), DDR5(이중데이터속도) 등 최신 D램 제품도 전시될 전망이다.

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