삼성, HBM·파운드리도 `초격차` 총력

저전력 원스톱 AI솔루션 등 구축
맞춤형 공정혁신 통해 경쟁력 ↑
1분기 저점… 2분기엔 반등 확실

삼성전자가 9일 서울 강남구 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼·SAFE 포럼 2024'을 연다. [삼성전자 홈페이지 캡처]

삼성전자가 인공지능(AI) 열풍 속 고대역폭메모리(HBM)와 함께 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 경쟁력 확보에도 속도를 낸다.

8일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 AI 칩, 시스템 반도체 생태계 강화에 힘을 쏟고 있다. 경쟁사인 SK하이닉스에 주도권을 내준 HBM은 물론 파운드리에서도 업계 1위 TSMC와의 격차를 좁히는 데 주력하는 모습이다.

삼성전자는 9일 서울 강남구 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'와 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2024'를 개최한다. 이 중 파운드리 포럼은 매년 삼성전자가 반도체 공정 기술 로드맵을 소개하고 파운드리 사업 경쟁력을 알리는 자리로 꾸려진다. SAFE 포럼은 파트너사와 기술 협업을 알리고 네트워킹을 쌓는 자리다. 삼성전자는 이번 포럼에서도 AI가 확산하는 상황 속 초격차를 이뤄내기 위한 전략들을 밝힐 예정이다.

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장이 기조연설을 진행하고 이장규 텔레칩스 대표, 박호진 어보브반도체 부사장, 오진욱 리벨리온 최고기술책임자(CTO) 등이 세션 발표를 한다.

삼성전자는 지난달 미국에서 연 파운드리 포럼에서 메모리, 파운드리, 첨단 패키징 등 종합 반도체 기업(IDM)으로서의 역량을 극대화해 AI '턴키' 솔루션을 제공하겠다는 전략을 공개한 바 있다. 맞춤형 파운드리 공정 혁신으로 시장 경쟁력을 확보하겠다는 구상이다.

특히 3나노 이하 공정부터는 TSMC와의 격차를 빠르게 좁혀가겠다는 목표다. 삼성전자는 3나노 공정에 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터 기술을 최초로 적용해 2022년부터 양산 중이며 올해 하반기에는 2세대 3나노 공정 양산을 시작한다.

최시영 사장은 당시 "AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능·저전력 반도체"라며 "AI 반도체에 최적화된 GAA 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 파운드리에서 갈수록 TSMC와의 격차가 벌어지고 있다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 파운드리 점유율은 TSMC가 61.7%, 삼성전자가 11.0%다. 양사의 점유율 격차는 전 분기 49.9%포인트(p)에서 올 1분기 50.7%p로 더 커졌다.

삼성전자는 지난 5일 연결기준 매출 74조원, 영업이익 10조4000억원을 기록했다고 잠정실적을 발표했다. 삼성전자는 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 "파운드리 매출은 1분기 저점을 찍고 2분기부터 반등해 전 분기 대비 두 자릿수 매출 성장을 기대하고 있다"고 말했다.

윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr