'HBM' 개발 주역 박명재 SK하이닉스 부사장 "성공 비결은 압도적 기술력"

"HBM은 고유기술…개발 당시 HBM 설계조직 들어온 경쟁사 인력 1명도 없어"

[아이뉴스24 권용삼 기자] "고객 관계, 품질 측면에서 계속 혁신을 시도하면서 마침내 고대역폭메모리(HBM) 1위의 지위를 확실히 인정받았습니다."

박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장이 27일 자사 뉴스룸 인터뷰를 통해 이같이 말했다.

박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장. [사진=SK하이닉스]

박명재 부사장은 이날 "2010년대 중후반 HBM설계 조직은 공공연히 오지로 불렸다"며 "회사가 HBM2를 개발하는 과정에서 어려움을 겪고 있었고, 무엇보다 시장 성장이 예상보다 더뎠던 탓"이고 설명했다.

이어 "이 사업에 대한 우려가 커지면서 업계에서는 비관론이 쏟아졌다. 하지만 우리는 HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회이며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신했다"며 "이것이 HBM2E를 비롯해 후속 제품들의 개발을 밀고 나가는 원동력이 됐다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 2023년 4월 세계 최고 용량 12단 HBM3를 개발한 지 4개월 만인 지난해 8월 HBM3E를 공개하며 제품이 시장에 나오기까지 걸리는 시간을 획기적으로 단축했다. 올해 3월에는 HBM3E 양산에 성공해 고객사에 제품 공급을 시작했다.

박 부사장은 "AI 기업 간 경쟁에 불이 붙으면서 우리는 HBM을 개발하는 데도 속도를 낼 수밖에 없는 상황이었다"며 "이에 SK하이닉스는 설계 검증의 혁신을 거듭하면서 제품 설계 완성도를 높이고, 개발 및 양산 초기부터 고객사와 협력하는 등 많은 노력을 기울였다"고 설명했다.

특히 박 부사장은 HBM 성공 비결로 구성원 모두가 자만에 빠지지 않고 '원 팀'으로 기술 혁신에 매진한 것을 꼽았다. 그는 "우리 회사는 HBM 2세대를 제외하곤 줄곧 1등으로서 후발 주자를 따돌리기 위해 노력해왔다. 특히 세대마다 성능은 50% 높이면서 전력 소모는 기존 수준을 유지하고자 노력했다"라며 "불가능에 가까워 보였지만 패키지, 미래기술연구원 등 많은 조직이 힘을 보태면서 해낼 수 있었다. 또 개발과 양산에 문제가 생기면 이 분야 전문성을 가진 조직들이 솔루션을 도출했다. 이런 협업 시스템이 있었기에 세계 최고 성능의 HBM3E가 나올 수 있었다"고 강조했다.

한편, 박 부사장은 삼성전자 HBM 인력이 SK하이닉스로 넘어와 관련 기술 개발을 주도했다는 일각의 주장에 대해서는 "사실무근"이라며 앞으로도 경쟁 우위를 확고히 지켜가겠다는 의지를 밝혔다.

그는 "SK하이닉스의 HBM은 지난 15년간 구성원들이 피땀 흘려 쌓은 기술력의 결실이다. 온전히 우리 힘으로 기술 개발을 해낸 당사 구성원들로서는 자존심에 상처를 받을 수밖에 없었다"며 "SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술이며, 당시 경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다. 우리 기술력이 그만큼 대단하기에 헛된 루머가 돌 정도로 유명세를 치렀다고 생각하며, 앞으로도 우위를 지키기 위해 더욱 노력하겠다고 마음을 다진다"고 설명했다.

이어 "현재 위상을 지키고 강화하려면 지속적인 혁신이 필수"라며 "특히 HBM이 커스텀 제품으로 다양해짐에 따라 앞으로 고객 및 파운드리(반도체 위탁생산) 업계와의 협업이 더욱 중요해질 것"이라고 덧붙였다.

그러면서 "HBM 뿐 아니라 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL), 프로세싱 인 메모리(PIM), 3차원(D) D램 등 다양한 AI 메모리 기술이 앞으로 새로운 기회를 창출할 것"이라며 "이러한 차세대 AI 메모리 분야에서도 선도 지위를 지킬 준비가 돼 있다"고 강조했다.

/권용삼 기자(dragonbuy@inews24.com)