하이닉스 "HBM 비관론 쏟아질 때 '기회'로 봐…기술 기반 다져"

HBM설계 담당 박명재 부사장, SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰
"시장 성장 예상보다 더뎠던 시기, 기술력 보여줄 기회로 봐"

SK하이닉스 HBM설계 담당 박명재 부사장. SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 HBM(고대역폭메모리) 사업에 대한 비관론이 쏟아지던 시기를 기회로 보고 개발을 이어온 것이 지금의 시장 지배력을 만든 원동력이었다고 자평했다.

HBM설계 담당 박명재 부사장은 27일 공개된 SK하이닉스 뉴스룸과의 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다.

AI(인공지능) 반도체 수요가 급증하면서 바탕이 되는 HBM 수요도 덩달아 크게 늘고 있지만 HBM이 주목받은 것은 오래되지 않았다. SK하이닉스는 지난 2013년 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술인 TSV(Through Silicon Via)에 기반한 1세대 HBM을 세계 최초로 내놓았지만 당시에는 '필요 이상으로' 속도가 빠르고 용량이 크다며 시장의 반향을 일으키지 못했다.

박명재 부사장은 당시를 '위기 속에서 기회를 발견한 시기'라고 표현했다.

박 부사장은 "2010년대 중후반 HBM설계 조직은 공공연히 오지로 불렸다. 회사가 HBM2를 개발하는 과정에서 어려움을 겪고 있었고, 무엇보다 시장 성장이 예상보다 더뎠던 탓"이라며 "이 사업에 대한 우려가 커지면서 업계에서는 비관론이 쏟아졌다"고 회상했다.

이어 "하지만 우리는 HBM이 SK하이닉스 고유의 기술력을 보여줄 기회이며, 최고의 제품만 개발하면 이를 활용할 서비스는 자연스레 생길 것이라고 확신했다"며 "이것이 HBM2E를 비롯해 후속 제품들의 개발을 밀고 나가는 원동력이 됐다"고 덧붙였다.

박 부사장은 이 과정에서 '성공의 키(Key)는 고객과 시장이 요구하는 것보다 월등히 높은 수준의 1등 성능을 확보하는 것'이라는 교훈을 얻었다고 전하며 "HBM2E부터는 외부 기대치보다 훨씬 높은 수준을 목표로 잡고 협업을 강화했고, 주요 요소 기술과 현재의 기틀이 된 설계 및 테스트 기술들이 모두 이때 기반을 다지게 됐다"고 말했다.

그는 "우리는 HBM 2세대를 제외하곤 줄곧 1등으로서 후발 주자를 따돌리기 위해 노력해 왔고, 특히 세대마다 성능은 50% 높이면서 전력 소모는 기존 수준을 유지하고자 노력했다"며 "개발과 양산에 문제가 생기면 이 분야 전문성을 가진 조직들이 솔루션을 도출하는 협업 시스템이 있었기에 세계 최고 성능의 HBM3E가 나올 수 있었다"고 자평했다.

박 부사장은 HBM 개발 공로를 인정받고, 지난 5일 회사 핵심 기술진과 함께 SK그룹 최고 영예인 '2024 SUPEX추구 대상'을 받았다.

HBM 외의 차세대 AI 기술에 대한 자신감과 함께 미래 포부도 밝혔다.

박 부사장은 "HBM뿐 아니라 CXL(Compute Express Link), PIM(Processing-In-Memory), 3D D램 등 다양한 AI 메모리 기술이 앞으로 새로운 기회를 창출할 것"이라며 "이런 차세대 AI 메모리 분야에서도 선도 지위를 지킬 준비가 되어 있다"고 말했다.

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CBS노컷뉴스 김수영 기자 sykim@cbs.co.kr

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