여의도발 '파운드리 웨이퍼 결함·폐기' 루머에…삼성전자 "사실무근"

3나노 2500랏 규모 불량 발생 소문 확산에 "전혀 사실 아냐"

[아이뉴스24 권용삼 기자] 최근 여의도 증권가를 중심으로 삼성전자 파운드리 사업부와 관련된 정체불명의 정보지가 퍼지며 논란인 가운데, 삼성전자 측이 해당 논란에 대해 "사실무근"이라며 강력하게 부인했다.

삼성전자 평택캠퍼스 반도체 클린룸 모습. [사진=삼성전자]

26일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리 웨이퍼 제조 공장에서 최근 3나노(㎚·10억 분의 1m) 2세대 공정 중 2500랏(lot) 규모의 결함이 발생해 1조원 손실이 발생했고, 이 웨이퍼들을 모두 폐기해야 한다는 소문이 여의도 증권가를 중심으로 돌았다. 2500랏은 12인치 웨이퍼 기준 월 6만5000장 가량의 생산 규모다. 특히 일각에선 이번 파운드리 내 사고로 '웨이퍼 20만장 재처리 불가'라는 루머도 퍼졌다.

이와 관련, 삼성전자 측은 "삼성전자 파운드리 사업부가 반도체 웨이퍼 20만장을 폐기하고 1조원 이상의 피해를 입었다는 찌라시 내용은 절대 사실이 아니다"며 강하게 반박했다. 특히 회사 측은 "2021년 2월 미국 텍사스주 오스틴시 삼성전자 반도체 공장이 대규모 한파로 3일간 정전 피해를 입었는데, 당시 웨이퍼를 대량 폐기해야 했다"며 "3일 정전 동안 7만장이 피해를 입었는데, '20만장 폐기'라는 수치는 산술적으로 나올 수 없다"고 설명했다.

통상 반도체를 제조하기 위해선 '웨이퍼 제조-산화-노광-식각-이온주입-증착-연마-세정-검사' 등의 과정을 거치며, 이 과정에서 적잖은 변수와 결함이 발생한다. 일각에서는 제조 과정 가운데 웨이퍼를 투입하면서 조작 실수가 일어나 불량이 발생했다는 지적이 나왔다. 다만, 이는 일상적으로 발생하는 사례로 피해규모가 미미한 수준이라는 설명이다.

삼성전자는 세계 파운드리 1위인 TSMC와 치열하게 3나노 기술 경쟁을 벌이고 있다. 올해 하반기에는 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이다. 앞서 삼성전자는 지난 2022년 6월 세계 최초로 'GAA' 기술을 활용해 3나노 양산에 성공한 바 있다. 삼성은 2나노 공정에도 GAA 기술을 지속 적용할 예정이다. GAA 공정 양산 규모는 향후 큰 폭으로 확대될 전망이다.

아울러 삼성전자 시스템LSI 사업부는 회사 파운드리의 3나노 2세대 공정을 활용해 차세대 애플리케이션 프로세서(AP)인 '엑시노스 2500'을 생산할 계획으로 알려졌다. '엑시노스 2500'은 삼성전자가 내년 출시할 플래그십 스마트폰 '갤럭시S25' 시리즈용으로 설계된 칩셋이다.

/권용삼 기자(dragonbuy@inews24.com)