삼성전자 3나노 공정서 웨이퍼 결함 소문…삼성 "사실무근" 강력 부인
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삼성전자(005930) 파운드리(반도체 위탁생산)가 게이트올어라운드(GAA) 3나노(nm·10억 분의 1m) 2세대 양산을 준비 중인 가운데 해당 라인에서 웨이퍼 결함이 발생했다는 소문이 돌면서 논란이 일고 있다.
삼성전자는 하반기 GAA 3나노 2세대 공정 양산을 시작할 예정인데 해당 라인에서 2500랏(lot) 규모의 웨이퍼 결함이 발생했다는 것이다.
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(서울=뉴스1) 한재준 기자 = 삼성전자(005930) 파운드리(반도체 위탁생산)가 게이트올어라운드(GAA) 3나노(nm·10억 분의 1m) 2세대 양산을 준비 중인 가운데 해당 라인에서 웨이퍼 결함이 발생했다는 소문이 돌면서 논란이 일고 있다. 삼성전자 측은 사실무근이라는 입장이다.
26일 관련업계와 증권가에 따르면 최근 삼성전자 파운드리 생산 라인에서 웨이퍼 결함이 발생했다는 소문이 돌고 있다.
삼성전자는 하반기 GAA 3나노 2세대 공정 양산을 시작할 예정인데 해당 라인에서 2500랏(lot) 규모의 웨이퍼 결함이 발생했다는 것이다.
삼성전자는 이 같은 소문에 대해 "사실무근"이라며 강력 부인했다.
hanantway@news1.kr
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