'AI 훈풍' 탄 글로벌 반도체 생산 올해 6% 증가
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올해와 내년에 글로벌 반도체 생산공장(팹)의 생산 능력이 성장세를 이어갈 것이라는 예측이 나왔다.
국제반도체장비재료협회(SEMI)는 24일 발간한 최신 팹 전망 보고서를 통해 세계 반도체 팹 생산 능력이 올해 6%, 내년에 7% 성장할 것으로 전망했다.
고대역폭메모리(HBM) 수요 증가로 D램 생산 능력은 올해와 내년에 9%씩 증가하고, 낸드 시장은 올해를 건너뛰고 내년에 5% 성장할 것으로 전망됐다.
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中 업체 공격적 확대, 韓 내년 7% ↑
올해와 내년에 글로벌 반도체 생산공장(팹)의 생산 능력이 성장세를 이어갈 것이라는 예측이 나왔다.
국제반도체장비재료협회(SEMI)는 24일 발간한 최신 팹 전망 보고서를 통해 세계 반도체 팹 생산 능력이 올해 6%, 내년에 7% 성장할 것으로 전망했다. 8인치 웨이퍼 환산 기준 반도체 산업 생산 능력은 월 3370만 장에 도달하게 된다.
인공지능(AI) 칩 수요 증가에 5㎚(나노미터·10억 분의 1m) 이하 첨단 반도체 생산 능력은 올해 13% 증가할 것으로 SEMI는 관측했다. 특히 2025년은 삼성전자, TSMC 등 주요 기업들이 전력 효율성을 높이기 위해 2㎚ 공정에 본격적으로 게이트올어라운드(GAA) 기술을 도입하게 되면서, 이러한 흐름에 힘입어 생산능력이 17% 뛸 것으로 예상된다.
지역별로는 중국 업체의 생산 능력이 올해 월 885만 장으로 15% 증가한 후 내년에는 전체 반도체 산업의 3분의 1에 가까운 1010만 장으로 14% 늘어날 전망이다. 과잉 공급 우려에도 중국 회사들은 계속 생산 능력 확대에 투자하고 있다고 설명했다. 투자를 주도하는 업체는 화홍그룹, 넥스칩, 시엔, SMIC, CXMT 등이다. 중국 외 다른 지역은 대부분 5% 이하 성장이 예상됐다. 내년에 대만은 월 580만 장으로 4% 성장하고, 한국은 월 540만 장으로 7% 성장할 전망이다.
SEMI는 인텔의 파운드리 투자와 중국의 생산 능력 확대에 힘입어 파운드리 부문 생산 능력은 올해 11%, 내년에 10% 성장할 것으로 예상했다. 고대역폭메모리(HBM) 수요 증가로 D램 생산 능력은 올해와 내년에 9%씩 증가하고, 낸드 시장은 올해를 건너뛰고 내년에 5% 성장할 것으로 전망됐다.
아짓 마노차 SEMI 최고경영자(CEO)는 "클라우드 컴퓨팅에서 엣지 디바이스에 이르기까지 AI의 확산은 고성능 칩 개발 경쟁을 촉진하고 글로벌 반도체 제조 역량의 확장을 주도하고 있다"고 말했다.
허진 기자 hjin@sedaily.comCopyright © 서울경제. 무단전재 및 재배포 금지.
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