반도체 기술 유출한 삼성전자 전 연구원…1심 징역형 집유

반도체 핵심 기술을 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 전직 삼성전자 수석연구원이 1심에서 징역형의 집행유예 선고받았습니다.

서울중앙지법 형사합의23부(오세용 부장판사)는 오늘(21일) 산업기술보호법 위반 등 혐의로 기소된 이모씨에게 징역 3년에 집행유예 4년과 벌금 2천만원을 선고하고 240시간의 사회봉사 명령을 내렸습니다.

재판부는 "피고인이 이메일로 유출한 자료에는 삼성전자가 다년간 연구·개발해 얻어낸 성과물과 국가핵심기술에 관한 내용이 포함돼 있다"며 "국내 기술과 국가경제를 위태롭게 하는 범행"이라고 판단했습니다.

재판부는 '업무 편의를 위해 자료들을 전송했을 뿐 회사에 손해를 줄 의도가 없었다'는 이씨의 주장에 대해 "삼성전자에서 12년간 D램 연구개발 업무를 한 피고인은 이들 자료가 외부에 유출될 경우 삼성전자에 중대한 피해가 발생한다는 점을 충분히 예상할 수 있었다"고 설명했습니다.

한편, 이씨는 삼성전자에서 수석연구원으로 일하던 2022년 3~6월 미국 회사로 이직하려고 'D램 반도체 적층조립기술' 등 국가핵심기술 13건과 'D램 반도체 사업화 전략 자료' 등 영업비밀 100여건을 개인 이메일로 전송한 혐의를 받습니다.

검찰은 지난해 3월 국가정보원 이첩자료를 토대로 수사해 8월 이씨를 기소했습니다.

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