"화합물 전력반도체 국산화… 하반기 양산"

칩스케이 곽철호 대표·차호영 CTO
기존 실리콘 방식은 효율 한계
독자 기술로 가격 경쟁력 갖춰
"전기차 등으로 적용분야 확대"

칩스케이 곽철호 대표(왼쪽)와 차호영 CTO가 전력반도체에 대해 설명하고 있다. 칩스케이 제공

"화합물 전력반도체 분야에서 글로벌 회사로 성장할 것입니다."

곽철호 칩스케이 대표와 차호영 최고기술책임자(CTO)는 20일 "그동안 전량 수입에 의존해온 화합물 전력반도체를 독자 기술로 만드는 데 주력할 것"이라며 이같이 강조했다.

칩스케이는 아날로그 반도체와 화합물 반도체 분야 권위자인 곽 대표와 차 CTO가 각각 의기투합해 지난 2017년 창업했다. 곽 대표는 프리웰 등을 거치며 아날로그 반도체 분야 연구원으로 20년 이상 활동했다. 미국 코넬대에서 박사 학위를 받은 차 CTO는 제너럴일렉트릭(GE) 등을 거쳐 현재 홍익대 전자전기공학부 교수로 재직 중이다.

곽 대표는 "전 세계 전력반도체 시장은 독일 인피니언과 미국 온세미 등 글로벌 반도체 업체들이 주도한다"며 "우리는 기존 실리콘 방식이 아닌 화합물 방식을 활용해 전력반도체 분야에서 점유율을 높일 것"이라고 설명했다.

전력반도체는 모든 전자기기에 들어가 전력을 제어하는 기능을 한다. 이 시장은 현재까지 실리콘 방식 제품이 90%가량을 차지한다. 하지만 최근 실리콘 방식 전력반도체 효율이 한계에 도달하면서 화합물 방식이 대안으로 주목을 받는다.

곽 대표는 "화합물 전력반도체 중 실리콘카바이드(SiC) 방식은 1000V 이상 고전압을 요구하는 전기자동차, 신재생에너지 등 분야에 주로 쓰인다"며 "우리가 주력하는 갈륨나이트라이드(GaN) 방식은 고속충전기 등 650V 이하 저전압이 필요한 분야에 적합하다"고 말했다.

이어 "창업 이후 수년간 연구·개발(R&D) 과정을 거쳐 최근 650V 전압 GaN 전력반도체를 처음 국산화할 수 있었다"며 "올 하반기 관련 제품에 대한 양산에 착수할 예정"이라고 덧붙였다.

차 CTO는 "그동안 GaN 방식 전력반도체는 실리콘 방식에 비해 비싸다는 것이 단점이었는데 올 연말쯤이면 실리콘 방식 제품과 비슷한 수준까지 떨어질 것"이라며 "적용 범위 역시 고속충전기 등에 이어 가전과 데이터센터, 심지어 SiC 방식이 주로 쓰이는 전기자동차, 신재생에너지 등으로 확대될 것"이라고 말했다. 이어 "이번에 선보인 650V 전압 GaN 전력반도체는 해외 경쟁사 제품과 비교해 크기는 20% 정도 줄어든 반면 가격은 30% 이상 저렴해 경쟁력이 있을 것"이라고 강조했다.

곽 대표는 "GaN 방식 전력반도체가 올 하반기부터 실적에 기여하면서 올해 손익분기점에 도달하고 내년에는 영업이익을 내며 흑자로 전환할 것"이라고 내다봤다.

차 CTO는 "이번 650V 전압 GaN 전력반도체 개발에 이어 향후 가전과 통신장비, 모바일기기, 데이터센터, 전기자동차 온보드 충전기 등 다양한 분야로 전력반도체 라인업을 확대할 것"이라고 전했다.

butter@fnnews.com 강경래 기자