미·중 반도체싸움에 낀 삼성전자…對중국 규제 ‘불똥’ 튀나

[사진출처=연합뉴스]

미국 정부의 대(對)중국 반도체 규제가 갈수록 강화되고 있다. 최근에는 인공지능(AI) 칩 제조시 필수적인 기술까지 규제에 나서는 등 중국의 첨단 분야를 더욱 옥죄겠다는 계획이다.

14일 블룸버그 등 외신에 따르면 최근 바이든 행정부는 인공지능(AI) 기술 개발 등을 위해 사용되는 최첨단 반도체 및 관련 기술에 대한 대중국 추가 규제를 검토 중이다. 규제를 검토중인 기술은 게이트올어라운드(GAA·Gate All Around)와 고대역폭 메모리(HBM) 등 최신 기술이다.

GAA는 반도체의 기존 트랜지스터 구조인 핀펫(FinFET)의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술이다. 전력 소비를 줄이고 칩의 성능을 끌어 올리는 첨단 반도체 제조 기술 중 하나로 GAA가 AI칩 경쟁의 필수 요소로 꼽히는 이유다.

삼성전자는 세계 최초로 GAA 기술을 지난 2022년 6월 3나노 공정에 적용했다. 현재 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 중 차세대 GAA 기술을 상용화 한 곳은 삼성전자가 유일하다. 내년부터 삼성전자와 차세대 2나노 공정에서 본격적으로 맞붙는 TSMC의 경우 2나노에 GAA 공정을 도입해 반도체를 생산할 계획이다.

HBM이란 한번에 대량의 데이터를 처리할 수 있도록 대역폭을 크게 증가시킨 AI 반도체 수요에 최적화된 반도체다. D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 높인 것이 주요 특징이다.

업계에서는 중국이 GAA 기술과 HBM 없이 AI 반도체를 자급하기는 사실상 불가능에 가깝다고 보고 있다.

특히 HBM만 놓고 보더라도 중국 기업들과 삼성전자와 SK하이닉스 등 HBM 선두 기업들과의 기술 격차는 10년 가량 차이가 난다. 중국의 화웨이는 2026년까지 HBM2를 생산할 계획이다. 반면 삼성전자와 SK하이닉스는 이미 지난 2016년 2세대 제품인 HBM2 개발에 성공한 바 있다.

다만 중국은 기존에도 첨단 반도체가 아닌 레거시 반도체에 무게를 두고 있었던 만큼 당장 규제가 시행된다고 하더라도 치명적인 타격을 받지는 않을 것이란 평가다.

레거시 반도체는 2011년부터 양산을 시작한 28나노미터와 그 이전 공정에서 생성된 구형 모델을 일컫는다. 중국의 레거시 반도체 글로벌 점유율은 지난해 29%에서 오는 2027년 33%로 늘어날 예정이다.

앞서 미국은 지난 2022년 8월 반도체 전자설계자동화(EDA) 소프트웨어의 수출 통제를 시작으로 대중국 반도체 규제를 이어가고 있다. EDA는 GAA 기술을 이용한 칩 제조에 필수적인 소프트웨어다.

이어 2023년 10월에는 규제되는 장비와 반도체를 늘리는 등 수출 통제 조처를 확대했다.

업계 한 관계자는 “향후 미국의 규제 방향성과 내용에 대해 경계해야하는 것은 맞지만 애초에 그만큼 중국발 수요가 크지 않았던 것도 사실”이라며 “또 이번 규제가 단순 대선용 규제인지 아닌지, 현실성이 있는지 없는지는 시간을 두고 판단할 필요가 있다”고 설명했다.