삼성전자, 파운드리 포럼 개최…1나노 적용시점 당길까

최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장이 지난해 7월 서울 삼성동 코엑스에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2023'에서 기조연설을 하고 있다. [삼성전자 제공]

삼성전자가 오는 12~13일(현지시간) 미국 새너제이 삼성 반도체 캠퍼스에서 연례행사인 '파운드리 포럼'을 연다. 업계에서는 특히 파운드리(반도체 위탁생산) 1나노(㎚·10억분의 1m)대 경쟁이 치열한 만큼 삼성전자가 어떤 전략을 발표할지를 주목하고 있다.

12일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 이번 포럼에서 파운드리 기술 로드맵 등을 발표하고 이를 파트너사·고객과 공유할 계획이다.

특히 '메모리-파운드리-첨단 패키징' 등 AI 반도체를 생산하기 위한 '턴키 전략'을 중점 소개할 것으로 알려졌다. 최시영 파운드리사업부장(사장)을 비롯해 삼성전자 반도체 사업부 파운드리 임원들이 총출동하며 최근 디바이스솔루션(DS) 부문장이 된 전영현 부회장, 이정배 메모리사업부장(사장) 등도 행사 기간 미국을 방문한다.

최 사장은 기조연설에서 AI 시대에 대응할 삼성전자의 최첨단 파운드리 공정 로드맵을 발표한다. 업계에서는 삼성전자가 1나노 양산 시점을 앞당기는 로드맵을 발표할 것으로 기대하고 있다. 삼성전자는 2022년 파운드리 포럼에서 2025년에 2나노, 2027년에 1.4나노 공정을 적용한 반도체를 양산하겠다고 선언한 바 있다. 지난해에는 글로벌 파운드리 1위 대만 TSMC보다 먼저 업계 최초로 구체적인 2나노 공정 로드맵을 제시했다.

경쟁사인 TSMC는 1나노대 양산 계획을 한층 앞당겼다. TSMC는 2026년부터 1.6나노 공정을 통한 반도체 생산을 시작할 예정이라고 발표했다. 2025년과 2027년부터 각각 양산할 2나노와 1.4나노의 중간에 1.6나노를 추가해 1나노대 진입 시기를 1년 앞당긴다는 계획이다. 삼성전자는 세계 파운드리 2위 업체지만 TSMC와의 격차는 갈수록 커지는 추세다. 트렌드포스에 따르면 지난해 4분기 기준 삼성전자의 파운드리 점유율은 11.3%로 TSMC(61.2%)와의 격차는 직전 분기 45.5%포인트에서 49.9%포인트로 더 벌어졌다. 삼성전자는 TSMC와 비교해 미세공정 경쟁력이나 수율 등 운영 면에서 아직 격차가 있지만 주도권을 가져오겠다는 포부다.

이번 포럼에는 르네 하스 Arm 최고경영자(CEO), 빌 은 AMD 기업담당 부사장 등 삼성전자의 고객사 경영진도 연사로 나선다. 이에 따라 AMD 수주 가능성 등이 제기되고 있다. 리사 수 AMD CEO는 지난달 벨기에 안트베르펜에서 열린 'ITF WORLD 2024' 기조연설에서 "반도체 전력 효율성과 성능을 향상하고자 3나노 GAA(게이트 올 어라운드) 공정으로 신제품을 양산할 계획"이라고 밝힌 바 있다.

삼성전자는 2022년 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터인 GAA 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했다. GAA 기술은 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트가 둘러싸는 형태다. 채널 3개면만 감싸는 기존 핀펫 구조와 비교하면 게이트의 면적이 넓어지기 때문에 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 극복할 수 있다. 반면 TSMC는 GAA보다 한 단계 아래 기술로 평가받는 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조를 3나노에 활용 중이며 2나노 공정부터 GAA를 적용한다는 계획이다.

한편 삼성전자는 다음 달 9일에는 서울 강남구 코엑스에서 파운드리 포럼을 개최한다.윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr