인피니언, 8인치 공정 기반 'CoolGaN 트랜지스터' 출시
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인피니언테크놀로지스는 고전압 및 중전압 CoolGaN 신제품 2종을 출시한다고 밝혔다.
이들 제품은 인피니언의 차세대 GIT(gate injection transistor) 기반 고전압 제품이다.
중전압 G3 디바이스로 60V, 80V, 100V, 120V CoolGaN 트랜지스터와 40V 양방향 스위치(BDS) 제품을 포함한다.
중전압 G3 제품은 모터 드라이브, 텔레콤, 데이터 센터, 태양광, 컨슈머 애플리케이션에 적합하다.
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(지디넷코리아=이나리 기자)인피니언테크놀로지스는 고전압 및 중전압 CoolGaN 신제품 2종을 출시한다고 밝혔다.
두 제품군은 쿨림(말레이시아)과 필라흐(오스트리아) 공장에서 고성능 8인치 인하우스 파운드리 공정으로 제조된다.
이 제품은 다양한 애플리케이션에서 40V부터 700V에 이르는 갈륨 나이트라이드(GaN) 디바이스를 사용할 수 있다.
새로운 650V G5 제품군은 컨슈머, 데이터 센터, 산업용, 태양광 등의 애플리케이션에 적합하다. 이들 제품은 인피니언의 차세대 GIT(gate injection transistor) 기반 고전압 제품이다.
중전압 G3 디바이스로 60V, 80V, 100V, 120V CoolGaN 트랜지스터와 40V 양방향 스위치(BDS) 제품을 포함한다. 중전압 G3 제품은 모터 드라이브, 텔레콤, 데이터 센터, 태양광, 컨슈머 애플리케이션에 적합하다.
CoolGaN 650V G5는 올해 4분기에 공급을 시작하고, 중전압 CoolGaN G3는 올해 3분기에 공급을 시작한다. 샘플은 현재 공급하고 있다.
시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 디바이스 시장은 향후 5년간 연평균 46%성장하는 시장이다. 인피니언은 GaN 디바이스 시장에서 공급을 강화한다는 목표다.
이나리 기자(narilee@zdnet.co.kr)
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