네패스, '8 레이어 RDL 인터포저' 기술 공개
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네패스는 최근 미국 콜로라도주 덴버에서 열린 전자부품기술학회(ECTC)에서 '8 레이어 재배선(RDL) 인터포저' 기술을 소개했다고 3일 밝혔다.
기술은 인터포저 위에 여러 칩을 수직·수평으로 연결하는 칩렛 패키징을 실리콘(Si) 인터포저 대신 팬아웃 공정 기반의 RDL 인터포저로 구현한 것이 특징이다.
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네패스는 최근 미국 콜로라도주 덴버에서 열린 전자부품기술학회(ECTC)에서 '8 레이어 재배선(RDL) 인터포저' 기술을 소개했다고 3일 밝혔다.
기술은 인터포저 위에 여러 칩을 수직·수평으로 연결하는 칩렛 패키징을 실리콘(Si) 인터포저 대신 팬아웃 공정 기반의 RDL 인터포저로 구현한 것이 특징이다.
우수한 전기적 특성, 생산 효율성, 제조 비용 절감 등을 갖췄으며 세계적으로 6 레이어 RDL 인터포저 기술이 일반적인 상황에서 8 레이어 RDL 인터포저 기술을 개발·공유했다고 네패스 측은 설명했다.
회사 관계자는 “기존에 기판(Substrate)이 필요한 구조에서 필요 없는 구조가 됐다는 점에서 의미가 있다”고 덧붙였다.
기존에는 RDL 인터포저 제작 및 칩 접착과 몰딩 등의 공정 이후에 기판 위에 추가적으로 플립칩 공정을 진행해야 했다. 하지만 8 레이어 공정은 기판 위에 플립칩 공정이 필요 없어져 별도 기판 없이 패키징이 가능하다는 설명이다.
박진형 기자 jin@etnews.com
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