[특징주]코스텍시스, 차세대 전력 SiC반도체 美글로벌 기업 양산퀄 통과 소식에↑
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코스텍시스가 차세대 전력반도체 훈풍에 장중 오름세다.
이날 금융감독원 전자공시에 따르면 코스텍시스는 오는 31일 국내 주요 기관 투자자들을 대상으로 기업설명회(IR)를 개최한다.
이번 IR에서 코스텍시스는 SiC전력 반도체 스페이서의 사업 진행 현황을 업데이트할 계획이다.
코스텍시스가 개발한 전력반도체용 스페이서는 SiC반도체 칩 실장 기판의 필수 재료로 저열팽창, 고방열 소재라는 점이 부각되고 있다.
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[파이낸셜뉴스] 코스텍시스가 차세대 전력반도체 훈풍에 장중 오름세다.
30일 오후 2시 4분 현재 코스텍시스는 전 거래일 대비 21.27% 오른 1만6250원에 거래되고 있다.
이날 금융감독원 전자공시에 따르면 코스텍시스는 오는 31일 국내 주요 기관 투자자들을 대상으로 기업설명회(IR)를 개최한다.
이번 IR에서 코스텍시스는 SiC전력 반도체 스페이서의 사업 진행 현황을 업데이트할 계획이다.
회사 측은 "SiC전력 반도체 스페이서가 미국 글로벌 반도체 기업의 양산퀄을 통과했다"라며 "다른 고객사들의 퀄 진척사항을 설명하고 향후 실적 전망과 캐파 증설에 대해 언급하겠다"고 밝혔다.
차세대 전력반도체는 다양한 화학원소를 결합해서 만든 웨이퍼로 소자를 만들기 때문에 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등을 사용하면 실리콘 기반 칩보다 열에 강하고 부피를 축소할 수 있어 각광받아 왔다.
시장조사기관 트렌드포스는 SiC칩 시장 규모가 2026년에는 53억2800만달러(약 7조3000억원) 규모로 커질 것이라고 관측했다.
코스텍시스는 그간 3년의 준비 기간을 거쳐 전 세계 주요 업체들과 스페이서 공급을 논의했다.
코스텍시스가 개발한 전력반도체용 스페이서는 SiC반도체 칩 실장 기판의 필수 재료로 저열팽창, 고방열 소재라는 점이 부각되고 있다.
dschoi@fnnews.com 최두선 기자
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