‘엔비디아 악재’ 삼성전자, HBM 발열이 문제?…“테스트 순조로워”

삼성전자 서초사옥. 연합뉴스

삼성전자의 고대역폭메모리(HBM)가 발열 문제 때문에 엔비디아의 검증을 통과하지 못하고 있다는 보도가 나왔다. 발열 문제는 해결하는 데 오래 걸릴 가능성이 높은 만큼, 에스케이(SK)하이닉스 등 경쟁사와의 격차가 더욱 벌어질지 주목된다. 삼성전자는 “테스트를 순조롭게 진행 중”이라며 반박했다.

24일 로이터 보도를 보면, 삼성전자의 고대역폭메모리가 엔비디아 검증을 아직 통과하지 못하고 있는 건 발열과 전력 소비 문제 때문이라고 3명의 관계자가 말했다. 이 문제는 삼성전자의 4세대(HBM3)와 5세대(HBM3E) 제품 모두 겪고 있다고도 했다. 엔비디아 검증을 통과하지 못하고 있는 이유가 언론보도를 통해 밝혀진 건 이번이 처음이다.

삼성전자는 공식 입장문을 내고 “다양한 글로벌 파트너들과 HBM 공급을 위한 테스트를 순조롭게 진행 중”이라고 밝혔다. 그러면서 “일부에서 제기하는 특정 시점에서의 테스트 관련 보도는 당사의 이미지와 신뢰도를 훼손할 수 있으므로 보도에 신중을 기해달라”고 했다.

발열은 심각성이 작지 않은 문제여서 더욱 주목된다. 고대역폭메모리는 작동 속도도 일반 디램보다 훨씬 빠른 데다, ‘니어 메모리’(near memory)라고 불릴 정도로 그래픽처리장치(GPU) 바로 옆에 붙어 있어 발열 문제가 생기기 쉽다. 발열이 심해지면 서버에 부하가 걸리고 안정성에도 문제가 생길 수 있어 꼭 해결해야 하는 문제이기도 하다.

삼성전자가 이미 엔비디아에 납품하고 있는 에스케이(SK)하이닉스와는 다른 공정을 쓰고 있다는 점도 주목할 만하다. 에스케이하이닉스는 여러 층으로 쌓은 디램 칩을 접합할 때 ‘MR-MUF’라는 공정을 적용하는데, 이 공정은 상대적으로 열을 쉽게 방출하는 것으로 알려져 있다. 삼성전자는 하이닉스와 달리 ‘TC-NCF’라는 공정을 활용한다. 한 업계 관계자는 “공정 자체에서 비롯된 문제일 경우 엔비디아 검증을 단기간에 통과하긴 힘들 것”이라고 말했다.

이재연 기자 jay@hani.co.kr