AI 시대 발맞추는 SK하이닉스 “고대역폭메모리 개발 주기 절반으로”

내후년엔 HBM4E 양산 가능성 시사

세계 최대 이동통신 전시회 ‘엠더블유시(MWC·모바일 월드 콩그레스) 2024’ 개막 이틀째, 차세대 인공지능(AI) 반도체용 메모리인 5세대 고대역폭메모리인 ‘에이치비엠3이’(HBM3E) 모양이 구현된 전시관 앞에서 휴대폰을 살펴보고 있다. 연합뉴스

에스케이(SK)하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)의 개발 주기를 절반으로 단축하겠다고 밝혔다. 2026년에 7세대 제품(HBM4E)을 양산할 가능성을 시사한 것으로 풀이된다.

13일 에스케이하이닉스 설명을 들으면, 김귀욱 고대역폭메모리선행기술팀장은 이날 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에 참석해 이같이 밝혔다. 김 팀장은 “고대역폭메모리가 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다”고 말했다.

앞으로 고대역폭메모리 제품의 세대가 1년마다 교체될 가능성을 시사한 것이다. 앞서 에스케이하이닉스는 약 2년 주기로 세대를 교체해왔다. 2022년에 4세대(HBM3), 올해 5세대(HBM3E) 양산에 돌입하는 식이었다. 6세대(HBM4) 양산도 기존에는 2년 뒤인 2026년으로 예정돼 있었으나, 지난 2일 기자간담회에서 1년 앞당겨 내년 양산하겠다고 공식 발표한 바 있다. 이번에는 6세대뿐 아니라 7세대 이후 제품도 1년 단위로 개발·양산할 가능성을 내비친 셈이다.

이는 인공지능 시대가 본격화하며 요구되는 반도체 기술 개발 속도가 한층 빨라진 영향으로 풀이된다. 고대역폭메모리 후발주자인 삼성전자와 미국 마이크론 테크놀로지를 따돌리려는 움직임으로도 해석된다. 최태원 에스케이그룹 회장은 지난 2일 기자간담회에서 “(엔비디아의 젠슨 황 최고경영자가) 자사 제품이 빨리 나올 수 있도록 연구개발(R&D)을 서둘러달라고 하더라”고 말한 바 있다.

이재연 기자 jay@hani.co.kr