SK하이닉스, ‘HBM 7세대’ 1년 앞당겨···2026년 목표

SK하이닉스의 5세대 HBM인 HBM3E.

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM)인 ‘HBM4E’ 개발을 이르면 2026년 완료할 계획이다. 생성형 인공지능(AI)이 발전하면서 AI 컴퓨팅의 ‘필수재’로 꼽히는 고성능 메모리의 세대 전환에도 속도가 붙고 있다.

김귀욱 SK하이닉스 HBM첨단기술팀장은 13일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 ‘국제메모리워크숍(IMW 2024)’에 참석해 차세대 HBM 개발 방향을 공유하며 이같이 밝혔다.

HBM은 D램을 여러 층 쌓아 데이터 처리 속도를 높인 고성능 반도체다. SK하이닉스가 2013년 처음 개발했다. SK하이닉스는 4세대 제품인 HBM3를 미국 엔비디아에 독점 공급한 데 이어 지난 3월 메모리 업체 중 가장 먼저 5세대 HBM3E 8단 제품도 납품하기 시작하는 등 시장 주도권을 쥐고 있다.

하지만 후발주자 삼성전자가 HBM3E 12단 계획을 먼저 꺼내들어 역전을 시도하면서 ‘큰손’ 엔비디아의 선택을 받기 위한 메모리 납품사들의 경쟁은 격화하고 있다.

SK하이닉스도 HBM3E 12단 샘플을 이달 중 제공하고 오는 3분기 양산이 가능하도록 준비 중이다. 6세대 HBM4도 당초 계획이었던 2026년보다 1년 앞당겨 내년부터 양산에 들어간다는 계획을 밝힌 바 있다. 이에 따라 7세대 HBM4E 개발 완료 시점도 1년 앞당겨 잡은 것으로 보인다.

김 팀장은 “HBM 1세대가 개발된 후 2년 단위로 세대를 거듭해 발전했지만, HBM3E부터는 1년 단위로 세대가 변하고 있다”고 설명했다. HBM4(6세대)가 내년에 출시되면 HBM4E(7세대)는 내후년인 2026년 기술 개발을 완료하고 양산에 들어갈 것으로 전망된다.

구체적인 성능은 확인되지 않았다. HBM4의 경우 이전 세대 대비 대역폭은 1.4배, 집적도는 1.3배, 전력 효율은 30% 개선될 것이라고 김 팀장은 전했다.

곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 지난 2일 기자간담회에서 “올해 이후 HBM 시장은 AI 성능 향상을 위한 파라미터 수의 증가, AI 서비스 공급자 확대 등의 요인으로 성장을 계속할 것”이라고 강조한 바 있다.

김상범 기자 ksb1231@kyunghyang.com