SK하이닉스 "HBM4E 2026년 개발"

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장/사진=SK하이닉스

SK하이닉스가 7세대 HBM(고대역폭메모리)인 'HBM4E'의 개발을 당초 계획보다 약 1년 앞당겨 2026년 선보인다.

13일 업계에 따르면 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 이날 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 "그동안 HBM은 2년 단위로 발전해 왔지만 5세대인 HBM3E 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"며 이런 로드맵을 공개했다.

SK하이닉스는 2014년 처음 HBM을 개발했다. 이후 2018년 HBM2(2세대), 2020년 HBM2E(3세대), 2022년 HBM3(4세대), 올해 HBM3E(5세대)를 선보였다. 이처럼 과거에는 2년마다 HBM 세대가 바뀌어왔지만 앞으로는 이런 기간이 1년으로 단축돼 2025년 HBM4에 이어 2026년 HBM4E 개발이 가능할 것이란 설명이다.

SK하이닉스는 최근 차세대 HBM 양산 시기를 앞당기는 추세다. 지난 2일 SK하이닉스는 기자간담회에서 12단 HBM4의 양산 시기를 기존 2026년에서 2025년으로 1년 앞당긴다고 밝혔다.

한편 SK하이닉스가 HBM4E에 '하이브리드 본딩' 기술을 적용할지도 관심이다. 하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없애 더 많은 D램을 적층할 수 있는 기술이다.

최우진 SK하이닉스 P&T 담당 부사장은 지난 2일 기자간담회에서 "HBM3E에 이어 HBM4 12단에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 순조롭게 기술 개발 중"이라며 "이 기술은 16단 제품에도 적용하려 하고 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토하고 있다"고 말했다.

유선일 기자 jjsy83@mt.co.kr