빨라지는 HBM 시계...SK하이닉스, 7세대 출시 1년 단축

SK하이닉스 HBM3E. SK하이닉스 제공

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 개발을 당초 계획보다 1년 앞당긴 2026년에 완료할 가능성을 시사했다.

김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 13일 서울 광진구 워커힐호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 "HBM이 4세대(HBM3) 제품까지는 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 말했다. SK하이닉스는 HBM4E 로드맵을 공식화하지 않았으나, 개발 주기가 1년으로 단축되는 시장 상황을 고려하면 2026년에 개발을 마칠 수 있다는 해석이 나온다.

SK하이닉스는 엔비디아에 HBM3를 사실상 독점 공급한 데 이어 지난 3월 메모리 업체 중 가장 먼저 HBM3E 8단 제품을 납품하기 시작했다. 이어 HBM3E 12단 제품의 샘플을 이달 중 제공하고 오는 3·4분기 양산이 가능하도록 준비 중이다.

또 당초 2026년 공급 예정이던 6세대 HBM4 12단 제품을 내년으로 앞당겨 양산할 계획이다.

곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO)는 지난 2일 기자간담회에서 이 같은 계획을 발표하며 "올해 이후 HBM 시장은 AI 성능 향상을 위한 파라미터 수의 증가, AI 서비스 공급자 확대 등의 요인으로 성장을 계속할 것"이라고 강조한 바 있다.

한편, SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리드 본딩을 적용할 수 있다는 입장도 이날 밝혔다. 하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 적층할 수 있다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다.
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rejune1112@fnnews.com 김준석 기자