HBM4E 출시 1년 당겨 하이닉스 "2026년 양산"

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 2026년부터 양산한다. HBM4에 이어 계획보다 양산 시기를 1년 앞당겼다.

13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 그랜드 워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이 같은 로드맵을 밝혔다. 김 팀장은 "그동안 HBM은 2년 단위로 발전해왔지만 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 설명했다.

반도체업계 안팎에서는 HBM4E는 16~20단 제품이 될 것이란 전망이 나온다. 이미 SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다. SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리드 본딩을 적용할 수 있다는 입장도 내비쳤다.

하이브리드 본딩은 칩 사이 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓는 게 가능하다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다.

[성승훈 기자]