SK하이닉스 “HBM4E, 2026년부터 양산…1년 앞당겨”

IMW 2024에서 HBM4E 로드맵 밝혀
“5세대 제품 이후로는 1년 주기로”

SK하이닉스 라인8 <SK하이닉스>

SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 2026년부터 양산한다. HBM4에 이어 계획보다 양산 시기를 1년 앞당겼다.

13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 이같은 로드맵을 밝혔다. 김 팀장은 “그동안 HBM은 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다”고 설명했다.

빈도체업계 안팎에선 HBM4E는 16단~20단 제품이 될 것이란 전망이 나온다. 이미 SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다. SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 하이브리디 본딩을 적용할 수 있다는 입장도 내비쳤다.

하이브리드 본딩은 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓을 수 있다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. 김 팀장은 “HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이지만 현재까진 수율이 높지 않다”며 “고객사가 20단 이상 제품을 요구했을 때에는 두께 한계 때문에 새로운 공정을 모색해봐야 할 수 있다”고 말했다.

업계에선 SK하이닉스가 HBM4E에는 10나노급 6세대(1c) D램을 처음으로 적용할 것으로 내다보고 있다. 이를 통해 HBM4E부터는 저장 용량을 크게 늘릴 수 있을 전망이다. 지금까지 SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램을 활용해 HBM3E와 HBM4를 만들었다.