12단 넘어 20단 HBM 반도체 적층 진검승부

삼성·SK하이닉스 생존경쟁
신제품 출시 시점 앞당겨

SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4 12단(H) 제품에 대해 당초 계획보다 1년 앞당긴 내년부터 양산에 들어간다는 방침을 밝히면서 HBM 시장에서 적층 경쟁이 한층 가열되고 있다. 12단 HBM을 넘어 16단·20단 개발 계획도 흘러나오면서 시장을 주도하는 SK하이닉스와 맹추격하는 삼성전자의 자존심 싸움이 이어지고 있는 것이다.

반도체업계에서는 7세대 HBM인 HBM4E에 이은 8세대 HBM은 HBM5 대신 'HBM4X'라는 표현을 쓸 수 있다는 예상도 나온다.

SK하이닉스는 최근 이천캠퍼스에서 개최한 기자간담회에서 변경된 HBM4 12단 양산 일정을 공개했다. SK하이닉스는 당초 2026년에 HBM4를 양산하는 로드맵을 갖고 있었지만, 양산 시기를 앞당기는 것으로 조정했다. 이에 앞서 삼성전자는 내년 HBM4를 개발하겠다는 계획을 밝힌 바 있어 두 회사 간 개발 경쟁이 본격화되는 수순이다.

지난해 하반기 맹추격에 나선 삼성전자는 올해 초 5세대 HBM인 36GB(기가바이트) HBM3E 12H 제품을 개발하는 데 성공했다. 이 제품은 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘관통전극(TSV) 기술로 12단까지 적층한 메모리로, 최근 엔비디아에 납품하기로 사실상 확정 짓기도 했다.

역시 HBM3E 12H 제품을 개발 중인 SK하이닉스는 올해 5월 샘플을 제공하고, 3분기 양산에 들어간다는 계획이다. SK하이닉스는 지난 2월 HBM3E 16단 칩 기술을 '국제고체회로학회(ISSCC) 2024' 콘퍼런스에서 공개하기도 했다.

두 회사가 내년 개발을 계획 중인 HBM4부터는 양사 간 자존심 싸움이 한층 심화할 전망이다.

삼성전자는 메모리와 파운드리 기술을 모두 확보하고 있다는 강점을 활용해 '턴키 전략'으로 HBM4에 대응한다는 계획이다. SK하이닉스는 삼성전자의 파운드리 라이벌인 대만 TSMC와 함께 HBM4 개발에 나선다. 삼성전자로서는 HBM뿐 아니라 파운드리 부문 라이벌과도 경쟁하는 구도가 형성된 것이다.

반도체업계 관계자는 "HBM4 이후 HBM4E·HBM5로 진화하는 과정에서 20단으로도 적층이 확대될 것"이라며 "기술적인 부분을 감안해 HBM4E와 HBM5 사이에 'HBM4X'라는 단계가 추가될 수 있다"고 말했다.

[최승진 기자]