‘700억원 반도체 기술’ 중국 유출 삼성전자 前부장 등 무더기 기소

D램 제조 장비의 핵심 기술 훔쳐
中 회사 투자받아서 법인 설립
인력 빼내 4개월 만에 기기 제작

서울 서초구 삼성전자 사옥. 뉴시스

국내 반도체 설비 관련 기술자료 수만건을 유출하고 최정예 엔지니어 등 전문가들을 기업에서 빼돌린 뒤 중국에서 회사까지 차린 혐의를 받는 삼성전자 전직 부장 등이 무더기로 재판에 넘겨졌다. 반도체 산업 전반에 수조원대 피해가 발생할 뻔했던 이 사건에서 검찰이 파악한 유출 기술 개발 비용만 총 700억원대에 달하는 것으로 파악됐다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 이춘)는 25일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 전직 삼성전자 메모리사업부 기술팀 부장이자 X사 부사장인 김모(56)씨 등 5명(3명 구속, 2명 불구속)을 기소했다. 검찰은 이들이 중국 태양광 회사로부터 투자를 받아 설립한 중국 현지 법인 X사도 양벌 규정(위법 행위 업무 주체인 법인도 함께 처벌하는 규정)으로 재판에 넘겼다. 2016년 삼성전자에서 중국 반도체회사 CXMT로 이직한 김씨는 삼성전자의 다른 핵심 기술인 18나노 D램 공정기술 자료를 유출한 혐의로 지난 1월 구속 기소됐다.

이들이 유출한 건 반도체 D램 제조 핵심인 원자층증착(ALD) 장비 관련 자료다. 증착 공정은 웨이퍼(반도체 원판) 표면에 얇은 막을 씌워 전기적 특성을 갖게 만드는 과정으로 공정 중에서도 고난도로 꼽힌다. ALD 장비는 정밀하고 균일한 증착을 가능하게 해 최첨단 반도체 설비 과정에선 필수가 됐다. 특히 이 장비 관련 세계 최고 수준의 경쟁력은 국내에서 갖고 있고 중국에서는 현재까지 개발에 성공한 회사가 없다.

김씨는 “한국에서 받던 급여의 2배 이상과 X사 주식 배분을 보장하겠다”며 반도체 장비 제조업체 등의 직원 3명을 이직시킨 것으로 조사됐다. 김씨 일당 등은 2022년 2~9월 각자 재직 중이던 A·B·C 회사로부터 반도체 증착 장비 설계 기술자료를 외부 서버로 유출하고 지난해 3~6월 X사의 반도체 증착 장비 제작에 사용한 혐의를 받는다. 또 빼돌린 자료들은 이후 ALD 장비 제작에 사용됐는데 검찰이 파악한 유출 기술자료의 3개사 개발 비용은 총 736억원이다.

이들은 2022년 11월쯤 장비 개발에 착수해 지난해 2월쯤부터 도면 작성을 시작했고 같은 해 6월쯤에는 실제 장비 제작에 들어갔다. 검찰 관계자는 “자체 기술을 개발하면 3년 이상 소요되는데 기술적 기반이 없는 신생 회사가 불과 4개월 만에 설계 도면을 작성해 장비 제작에 들어간 것은 기술을 부정 사용하지 않고는 불가능한 일”이라고 설명했다.

곽진웅 기자