AI 시대 ‘차세대 디램 시장’ 잡는다…SK하이닉스, 청주에 20조 투자

HBM 시장 선두 지키려 기존계획 전면 수정

SK하이닉스 청주캠퍼스 정문. SK하이닉스 제공

에스케이(SK)하이닉스가 청주에 20조원을 투자해 고대역폭메모리(HBM·에이치비엠) 생산 역량을 늘리기로 했다. 인공지능(AI) 시대를 맞아 차세대 디램(DRAM) 수요가 빠르게 늘어날 것으로 보고 기존 계획을 전면 수정한 것이다. 심화하는 에이치비엠 경쟁 속에서 선두 지위를 지키려는 움직임으로 풀이된다. 투자 규모가 대폭 확대된 만큼 향후 회사의 재무구조에 미칠 영향에도 관심이 쏠린다.

24일 에스케이하이닉스 발표를 보면, 회사 이사회는 충북 청주에 새로 지을 팹(반도체 제조 시설) ‘M15X’에서 에이치비엠 등 차세대 디램을 생산하기로 이날 결의했다. 이달 말부터 본격 공사에 나서 내년 11월 준공하고 양산을 시작한다는 계획이다. 총 투자 규모는 20조원 이상이다.

에이치비엠 수요가 급증할 것으로 내다보고 기존 계획을 전면 수정한 것이다. ‘M15X’는 에스케이하이닉스가 2022년 하반기부터 신설을 추진해온 공장으로, 회사는 원래 이곳에 15조원을 투자해 낸드플래시 라인을 증설한다는 계획이었다. 그 뒤 반도체 업황이 본격적으로 나빠지면서 공사를 미뤄왔는데, 이번에 투자 규모를 늘리고 생산 제품도 디램으로 바꾼 것이다. 회사는 인공지능 시대가 본격화하며 에이치비엠 시장은 연평균 60% 이상 성장하고 일반 디램 수요도 꾸준히 늘어날 것으로 본다고 설명했다. 수요에 맞춰 공급을 늘리지 못하면 삼성전자와 미국 마이크론 테크놀로지 등 경쟁사들에 고객사를 뺏길 가능성을 고려한 셈이다.

이로써 하이닉스의 에이치비엠을 포함한 디램 생산 능력은 가파르게 증가할 것으로 전망된다. 하이닉스는 용인 반도체 클러스터에도 신규 팹을 짓고 있는데, 첫 번째 팹은 2027년 5월에 준공될 예정이다. 아직 생산 제품은 확정되지 않았으나 마찬가지로 차세대 디램이 될 가능성이 있다. 후공정에 해당하는 첨단 패키징 역량도 빠르게 확대하고 있다. 청주에 있는 낸드플래시 공장 ‘M15’에서는 에이치비엠 생산에 필요한 첨단 패키징의 일종인 ‘실리콘관통전극’(TSV) 라인의 증설이 이뤄지고 있다. 회사는 최근 미국 인디애나주에도 첨단 패키징 생산기지를 건설해 2028년 하반기부터 양산하기로 확정한 바 있다.

다만 대규모 투자는 앞으로 부담스러운 요인으로 작용할 가능성이 높다. 회사는 ‘M15X’ 건설에 당장 들어가는 금액만 5조3천억원에 이를 것으로 예상하고 있다. 장비 구입 등 중장기 투자까지 포함하면 모두 20조원 이상이 될 전망이다. 용인 클러스터에 총 120조원, 미국 인디애나주에 38억7천만달러(약 5조3천억원)의 투자도 예정돼 있다. 미국 인텔 낸드플래시 사업 인수 계약의 잔금 22억3500만달러도 내년 3월까지 치러야 한다.

이재연 기자 jay@hani.co.kr