삼성전자, 현존 최고 290단 9세대 V낸드 양산 돌입
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삼성전자는 업계 최초로 1테라비트(Tb) TLC 9세대 V낸드(사진) 양산을 시작했다고 23일 밝혔다.
V낸드는 평면에 집적했던 셀을 수직으로 쌓아 올린 뒤 이를 관통하는 구멍(채널 홀)을 뚫어 각 층을 연결한 제품으로, 2013년 삼성전자가 세계 최초로 개발했다.
V낸드의 원가 경쟁력은 공정은 줄이는 게 핵심인데, 더블 스택을 적용하면 구멍을 뚫는 횟수를 최소화할 수 있다.
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AI서버 SSD 시장 등 선도 기대
삼성전자는 업계 최초로 1테라비트(Tb) TLC 9세대 V낸드(사진) 양산을 시작했다고 23일 밝혔다. TLC는 하나의 셀에 3비트 데이터를 기록할 수 있는 구조를 말한다.
더블 스택이란 낸드를 두 번에 걸쳐 구멍을 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 방식이다. V낸드의 원가 경쟁력은 공정은 줄이는 게 핵심인데, 더블 스택을 적용하면 구멍을 뚫는 횟수를 최소화할 수 있다.
V9은 단위 면적당 저장되는 비트 수인 비트 밀도를 V8 대비 약 1.5배 증가시키고 데이터 입출력 속도를 33% 향상시켜 초당 최대 3.2기가비트(Gbps)를 구현했다.
삼성전자는 “인공지능(AI) 서비스를 제공하는 고객들에게 9세대 V낸드는 최적의 솔루션이 될 것”이라고 기대했다. 챗GPT와 같은 대규모언어모델(LLM) 및 추론 모델을 훈련시키기 위해 AI 서버에 탑재되는 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 수요가 늘고 있는데, SSD는 낸드로 만든다.
이동수 기자
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