삼성전자, 업계 최초 '9세대 V낸드' 양산…"최소 크기·두께"
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인공지능(AI) 시대를 맞아 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커진 만큼 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획입니다.
삼성전자는 '더블 스택' 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 밝혔습니다.
삼성전자는 올해 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획입니다.
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삼성전자가 업계 최초로 '1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드' 양산을 시작했습니다.
인공지능(AI) 시대를 맞아 고용량·고성능 낸드의 중요성이 커진 만큼 초고난도 기술로 낸드 시장을 이끈다는 계획입니다.
삼성전자는 '더블 스택' 구조로 구현 가능한 최고 단수 제품인 9세대 V낸드를 양산한다고 밝혔습니다.
9세대 V낸드는 현재 주력인 236단 8세대 V낸드의 뒤를 잇는 제품으로, 290단 수준인 것으로 알려졌습니다.
더블 스택은 낸드플래시를 두 번에 걸친 '채널 홀 에칭'으로 나눠 뚫은 뒤 한 개의 칩으로 결합하는 방법을 말합니다.
삼성전자는 채널 홀 에칭 기술을 통해 한 번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신으로 생산성을 끌어올렸다고 설명했습니다.
이어 업계 최소 크기 셀(Cell), 최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 '1Tb TLC 9세대 V낸드'의 비트 밀도를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다고 소개했습니다.
9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 '토글(Toggle) 5.1'이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps(초당 기가비트)의 데이터 입출력 속도를 구현했습니다.
삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 한다는 방침입니다.
9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재해 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐습니다.
삼성전자는 올해 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'를 양산하는 등 AI 시대에 요구되는 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획입니다.
시장조사기관 옴디아에 따르면 낸드플래시 매출은 2023년 387억 달러에서 2028년 1,148억 달러로 연평균 24%의 성장률을 기록할 전망입니다.
(사진=삼성전자 제공, 연합뉴스)
김지성 기자 jisung@sbs.co.kr
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