이재연 SK 부사장 "이머징 메모리로 차세대 AI 패러다임 이끌 것"

SK하이닉스, HBM 핵심기술 TSV 같은 '차세대 AI 기술' 연구·개발
"이머징 메모리로 기존 메모리 한계 돌파…산·학·연과도 협업"

이재연 SK하이닉스 글로벌 RTC 부사장. (SK하이닉스 뉴스룸 제공)

(서울=뉴스1) 강태우 기자 = 이재연 SK하이닉스 글로벌 RTC(레볼루셔너리 테크놀로지 센터) 부사장은 22일 "오늘날 대표적 AI 반도체 기술로 꼽히는 HBM(고대역폭메모리)의 중요 요소 기술인 TSV처럼 차세대 반도체 요소 기술 개발에 힘쓸 것"이라고 말했다.

이 사장은 이날 자사 뉴스룸 인터뷰를 통해 "글로벌 RTC는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다. 다음 세대 기술의 가치를 창출할 '이머징 메모리'를 개발하고 있으며 관련 연구도 진행 중"이라며 이같이 밝혔다.

SK하이닉스(000660)의 글로벌 RTC는 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직이다. 이 부사장은 D램 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM, MRAM, PCM, ACiM을 비롯한 이머징 메모리 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 지난 '2024년 임원 인사'에서 이 조직의 신임 임원으로 선임됐다.

이 부사장이 언급한 TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수지 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다. SK하이닉스를 'HBM 선두' 자리에 앉힌 핵심 기술로 15년 전 진행된 연구·개발로 탄생했다.

특히 이 부사장은 TSV에 이어 '이머징 메모리'가 인공지능(AI) 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것으로 보고 있다.

이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 SOM(셀렉터-온 메모리), Spin, 시냅틱(Synaptic) 메모리, ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다.

이 부사장은 "SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있다"며 "이는 격변할 D램과 낸드 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대된다"고 했다.

이 밖에도 AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM, 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등의 연구도 이어가고 있다는 설명이다.

끝으로 그는 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "이에 글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 OPR을 구축하고 있고 이곳에서 외부 업체, 연구 기관 등과 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력을 논의하고 있다"고 밝혔다.

SK하이닉스는 OPR을 통해 다양해지는 고객의 요구에 맞춘(커스터마이즈) 메모리 반도체를 연구한다는 전략이다.

burning@news1.kr