이재연 SK하이닉스 부사장 "이머징 메모리, AI 시대 이끌 패러다임 제시"

이머징 메모리, 기존 메모리 한계 돌파할 새로운 솔루션으로 주목

[아이뉴스24 김종성 기자] "글로벌 RTC(Revolutionary Technology Center)는 미래 반도체 산업이 진화해 나갈 패러다임을 제시하고자 한다. 다음 세대 기술의 가치를 창출할 수 있는 이머징 메모리를 개발하고, 기존 반도체 기술의 한계를 극복할 차세대 컴퓨팅에 대한 기반 연구를 통해 인공지능(AI) 시대를 이끌 새로운 패러다임을 제시할 것이다."

이재연 SK하이닉스 글로벌 RTC 부사장. [사진=SK하이닉스 뉴스룸]

이재연 SK하이닉스 글로벌 RTC 부사장은 22일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰를 통해 이같이 밝혔다.

이 부사장은 2024년 임원 인사에서 차세대 반도체를 연구·개발하는 조직 글로벌 RTC의 신임임원으로 선임됐다. 이 부사장은 DRAM 선행 프로젝트 연구를 시작으로 ReRAM(Resistive RAM), MRAM((Magnetic Random Access Memory), PCM(Phase-Change Memory), ACiM(Analog-Compute in Memory)을 비롯한 이머징 메모리(Emerging Memory) 개발을 이끌어온 반도체 소자 전문가다. 특히 국내외 반도체 기업, 대학, 연구기관과의 풍부한 협업 경험을 토대로 ORP(Open Research Platform)를 구축하는 등 회사의 글로벌 경쟁력 향상을 위한 주춧돌을 마련하는 데 크게 기여했다는 평가를 받고 있다.

이머징 메모리는 기존 메모리의 한계를 돌파할 새로운 솔루션으로 주목받고 있다. SK하이닉스는 현재 △메모리와 셀렉터(Selector) 역할을 모두 수행할 수 있는 두 개의 전극과 듀얼 기능 재료(DFM)로 구성된 반도체 SOM △전자가 갖는 스핀 운동 특성을 반도체에 응용하는 기술인 Spin △인간 두뇌의 신경망을 모사할 수 있는 소자로 기존의 컴퓨터 구조로 발생하는 문제를 해결하고 고효율 컴퓨팅 구조를 구현하는 시냅틱(Synaptic) 메모리 △ACiM 등을 통해 이머징 메모리 솔루션을 구현하고 있다.

이 부사장은 "SOM은 데이터를 빠르게 처리하는 D램과 데이터를 저장하고 삭제할 수 있는 낸드플래시의 특성을 모두 보유하고 있다"며 "이는 격변할 D램과 낸드 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대되고 있다"고 설명했다. 이어 "글로벌 RTC 조직은 자성(磁性)의 특성을 이용해 이머징 메모리 중 가장 빠른 Spin 소자의 동작을 구현하는 등 미래를 위한 다양한 기술을 개발하고 있다"고 말했다.

그는 또 "사람의 뇌를 모방한 AI 반도체인 시냅틱 메모리 분야의 연구 역시 발 빠르게 진행 중"이라며 "AI 연산 시 메모리와 프로세서 사이의 데이터 이동을 줄이고 에너지 사용을 절감할 수 있는 ACiM 역시 우리의 연구 분야이며, 이 기술은 최근 학계와 산업계에 큰 관심을 받고 있다"고 밝혔다.

이 부사장은 급변하는 글로벌 시장에서 SK하이닉스가 경쟁력을 높이기 위해서는 세계 각계각층과 협업 체계를 강화해야 한다고 강조했다.

그는 "글로벌 RTC는 개방형 협력 연구 플랫폼인 ORP를 구축하고 있다"며 "이는 다양한 미래 기술 수요에 대응하기 위한 협력의 장(場)으로, 우리는 현재 외부 업체, 연구 기관과 협업을 논의하고 있다"고 설명했다.

또 "미래 반도체 시장에서는 단일 회사만의 노력으로는 성공할 수 없을 것"이라며 "산·학·연 등 다양한 기관과의 협업이 필수적이고, 환경 변화에 맞춰 유연한 논의가 가능한 새로운 체계가 중요하다"고 강조했다. 이를 통해 다양해지는 요구에 맞춘(Customized) 메모리 반도체를 연구하겠다는 것이다.

글로벌 반도체 업계의 리더로서 가져야 할 책임감에 대해서도 강조했다. 이 부사장은 "AI, 클라우드 컴퓨팅과 같은 기술의 성장으로 인해 방대한 양의 데이터가 발생하고 있고, 이와 함께 늘어나는 전력 사용에 대한 고민이 많다"며 "이에 글로벌 RTC는 넷제로(Net Zero) 달성을 위해 효율적인 에너지 사용에 대한 연구와 고민을 지속하고 있다"고 말했다.

이 부사장은 다운턴 위기를 기회로 바꾼 고대역폭메모리(HBM)의 TSV(Through Silicon Via) 기술처럼 미래를 위한 다양한 요소 기술 개발이 중요하다고 언급했다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상하층 칩의 구멍을 수직 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다.

그는 "최근 챗GPT로부터 시작된 AI 열풍은 메모리 반도체 분야에도 큰 기회가 되고 있다"며 "이러한 거대한 움직임에서 우리는 미래 먹거리를 위한 패스파인딩에 집중할 때"라고 강조했다. 이어 "HBM의 중요 요소 기술인 TSV는 15년 전 미래 기술 중 하나로 연구가 시작됐다"며 "AI 시대를 예견하고 개발한 기술은 아니지만, 오늘날 대표적인 AI 반도체 기술로 손꼽히는 거서럼 어떻게 급변할지 모르는 미래를 대비해 또 다른 멋진 요소 기술 개발에 힘써야 한다"고 강조했다.

/김종성 기자(stare@inews24.com)