최우진 SK하이닉스 부사장 "'시그니처 메모리' 개발…혁신 패키징 기술 확보"

SK하이닉스 P&T 담당 최우진 부사장. SK하이닉스 제공

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스 첨단 패키징(후공정) 사업을 담당하는 P&T 담당 최우진 부사장은 11일 "고대역폭메모리(HBM) 성능의 키 역할을 하는 실리콘관통전극(TSV), 어드밴스드 매스리플로 몰디드언더필(MR-MUF) 등 기술을 고도화하면서 메모리-비메모리 등 이종 간 결합을 도와 새로운 유형의 반도체 개발에 기여하게 될 칩렛, 하이브리드 본딩 등 다양한 어드밴스드 패키징 기술을 개발하는 데 주력하고 있다"고 밝혔다.

최 부사장은 이날 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 반도체 패권 경쟁의 핵심 축인 인공지능(AI) 메모리를 혁신하기 위해 ‘시그니처 메모리' 개발을 주요 전략으로 제시하며 이 같이 말했다. 시그니처 메모리는 다양한 기능, 크기, 형태, 전력 효율 등 고객이 원하는 성능을 갖춘 메모리 칩이다.

최 부사장이 이끌고 있는 P&T는 반도체 후공정을 맡은 조직이다. 팹(공장)에서 전공정을 마친 웨이퍼를 가져와 제품 형태로 패키징하고, 고객 요구에 맞게 동작하는지 테스트하는 역할을 한다. 패키징은 칩을 전기적으로 연결하고 외부 충격으로부터 보호하는 기존 역할을 넘어, 차별화된 제품 성능을 구현하는 주요 기술로 떠오르고 있다. TSV, MR-MUF 등 첨단 패키징 기술은 SK하이닉스 HBM에 핵심 기술로 적용되고 있다.

최 부사장은 2020년 HBM3(HBM 4세대)의 열 방출 솔루션 개발에 도전해 성공함으로써 제품 성능 향상에 기여했다. 지난해에는 재료비, 경비 등 원가 절감을 이뤄내 다운턴 위기 극복에 힘을 보탰다. 또 그는 챗GPT 열풍으로 늘어나는 D램 수요에 대응하기 위해 신속하게 생산 라인을 확보함으로써 회사의 AI 메모리 선도 입지를 강화하는 데 기여하기도 했다.

최 부사장은 "지난해 AI 메모리 수요가 갑작스럽게 늘어나면서 즉각적인 대응이 어려운 상황이었다"면서 "하지만 재빨리 TSV 패키징 라인을 활용해 더블데이터레이트(DDR)5 D램 기반의 서버향 3DS 모듈 제품을 추가 투자 없이 증산하는 데 성공했다. 빠른 시간 안에 내린 과감한 결단이 주효했던 사례로, 주저했다면 결코 이뤄낼 수 없었을 것"이라고 말했다.

최 부사장은 SK하이닉스의 해외 투자 계획에도 핵심적 역할을 하고 있다. SK하이닉스는 최근 미국 인디애나주에 패키징 생산시설을 설립한다는 계획을 발표했는데, 최 부사장은 이 과정에서 팹 구축 및 운영 전략을 짰다.

최 부사장은 “현재 팹 설계와 양산 시스템을 구체화하고, 글로벌 기업과의 연구개발(R&D) 협력 생태계를 구축하기 위한 준비를 진행 중"이라며 "공장 가동이 본격화되면 회사의 AI 메모리 기술 및 비즈니스 리더십을 강화하는 데 크게 기여할 것으로 기대한다"고 전했다.

최 부사장은 P&T의 주요 임무로 수익성 극대화, 그리고 ‘비욘드 HBM’을 언급했다. 그는 “단기적으로는 국내 생산 역량을 강화해 HBM 수요에 대응하고, 글로벌 기지를 잘 활용해 수익성을 극대화하겠다”며 “장기적으로는 지금 HBM의 핵심인 MR-MUF처럼 혁신적인 패키징 기술을 확보하는 것이 목표”라고 말했다.

mkchang@fnnews.com 장민권 기자