[단독]SK하이닉스,3분기 '6세대 10나노' D램 양산…삼성보다 빠르다

SK하이닉스 이천 M16 전경. (SK하이닉스 제공) 2021.2.1/뉴스1 /사진=SK하이닉스

SK하이닉스가 올해 3분기 10nm(나노미터·10억분의 1m)급 6세대(1c) D램 양산에 들어간다. 로드맵대로라면 올해 연말 양산을 계획하고 있는 삼성전자보다 빠르다.

8일 업계에 따르면 SK하이닉스가 오는 3분기 안에 10나노급 6세대 D램을 고객사 인증하고 양산한다는 내부 로드맵을 세웠다. 현재 D램 업계 주력 제품인 DDR(더블데이터레이트)5 16Gb(기가비트)로 인텔의 서버용 플랫폼과 호환성을 공식 인증할 것으로 보인다. 반도체 업계 관계자는 "고객사 인증에 들어가면 곧 몇 달 안엔 인증 완료되니, 그 직후 양산이라고 보면 된다"고 말했다.

SK하이닉스의 D램이 인텔 CPU(중앙처리장치)에 적용할 수 있다는 검증을 받으면, 곧 데이터센터를 운영하는 빅테크 기업들의 러브콜이 잇따를 수 있다. 인텔은 AMD와 함께 글로벌 서버 CPU 시장을 양분한다. 점유율 70~80%가량을 차지하는 지배적 위치다. 이 관계자는 "(DDR5는) 커머디티인만큼 미리 준비를 하고 있다가 인텔 인증을 받으면 즉시 아마존과 마이크로소프트 등에 속도전으로 판매에 나선다"고 설명했다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램으로 세계 최초 인텔 인증을 획득한 것에 이어, 5월 10나노급 5세대(1b) DDR5에서도 또 한번 세계 최초로 인텔 데이터센터 호환성 검증에 들어갔다. 오는 3분기 연달아 1c까지 '세계 최초'를 노리고 속도를 올리는 중이다.

양 사가 밝힌 로드맵을 토대로 비교하면, SK하이닉스의 10나노급 6세대 양산 시점이 삼성전자보다 이르다. 삼성전자는 올해 12월로 고객사 인증과 양산을 계획한 것으로 파악된다. 삼성전자는 지난달 말 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 차세대 D램 개발 로드맵을 공개했다. 이 로드맵에서 올해 내 6세대 10나노급 D램을 양산할 것이라 밝혔다.

10나노급 6세대 제품은 최첨단 EUV(극자외선)공정이 적용된다. 전 세대인 10나노급 5세대 제품보다 더 많은 회로에 사용돼 넷다이(Net Die·웨이퍼당 생산가능한 칩 수)와 전력 효율성 등이 더 높다.

한지연 기자 vividhan@mt.co.kr