삼성전자, 연내 6세대 10나노급 D램 양산

[삼성전자, 12나노급 32Gb DDR5 D램 (삼성전자 제공=연합뉴스)]

삼성전자가 올해 말 차세대 D램인 6세대 10나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램 양산을 시작할 예정입니다.

오늘(3일) 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 이 같은 계획이 담긴 로드맵을 발표했습니다.

6세대 10나노급 D램의 구체적인 양산 일정을 제시한 회사는 삼성전자가 처음입니다.

삼성전자는 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제작, 제품을 양산할 계획입니다.

경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장도 지난달 주주총회에서 올해 사업전략을 발표하면서 "D1c(6세대 10나노급) D램, 9세대 V낸드 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 업계를 선도하겠다"고 밝힌 바 있습니다.

앞서 삼성전자는 작년 5월에 업계 최소 선폭 공정으로 5세대 10나노급 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산에 들어갔습니다.

또 삼성전자는 이번 멤콘에서 10나노급 7세대 제품을 2026년께 양산하고, 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램 생산에 도전하겠다는 계획도 밝혔습니다.

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