‘최초 양산’ 치고 나가는 SK, ‘최대 용량’ 따라붙는 삼성 …숨막히는 경쟁 펼치는 HBM

[사진출처=연합뉴스]

세계 고대역폭메모리(HBM) 시장을 사실상 양분하고 있는 SK하이닉스와 삼성전자의 점유율 싸움이 날로 치열해지는 분위기다. 여기에 후발주자인 미국 마이크론까지 참전하면서 향후 3사의 HBM 경쟁이 더욱 격화할 것이란 전망이 나온다.

20일 업계에 따르면 SK하이닉스는 초고성능 인공지능(AI)용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품을 말한다. HBM은 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E), 4세대(HBM3), 5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며 HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

업계에서는 엔비디아가 올 2분기 내놓을 그래픽처리장치(GPU) H200에 SK하이닉스의 HBM3가 탑재될 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 “HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 이어가겠다”고 강조했다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 SK하이닉스의 HBM 시장 점유율은 53%로 1위를 차지했다. 경쟁사인 삼성전자와 미국 마이크론의 점유율은 각각 38%, 9%를 기록했다.

그중 4세대 HBM인 HBM3의 경우 SK하이닉스가 엔비디아에 독점 공급하면서 점유율 90% 이상을 차지하는 것으로 알려졌다.

삼성전자는 한발 앞선 SK하이닉스를 맹추격중이다. HBM3E 양산에서는 비록 SK하이닉스에 뒤쳐졌지만 적층수를 더 높여 성능과 용량 면에서 경쟁력을 갖췄다는 게 회사 측 설명이다.

현재 SK하이닉스가 양산한다는 HBM3E의 적층수는 8단이다. 반면 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다.

양사의 신경전이 날로 치열해지는 가운데 HBM 시장 최대 고객사인 미국 엔비디아의 선택이 어디로 향할지도 관심이 집중된다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 19일(현지시간) 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 24’ 둘째 날 열린 간담회에서 “삼성의 HBM을 아직 사용하고 있지는 않지만 현재 테스트하고 있으며 기대가 크다”며 “HBM은 단순한 메모리가 아닌 기적 같은 기술인 만큼 향후 SK하이닉스와 삼성전자와의 협력을 강화할 것”이라고 언급했다.

업계에서는 마이크론의 참전으로 하반기 HBM 시장 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 내다보고 있다. 마이크론은 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다고 밝혔다.

업계 한 관계자는 “사실상 제한된 AI 시장을 두고 공급처들간의 HBM 시장 경쟁은 더욱 심화될 것으로 보인다”며 “SK하이닉스, 삼성전자를 포함해 마이크론의 신규 진입으로 3사의 경쟁 구도가 만들어졌고, 순위 역시 뒤바뀔 가능성이 크지만 SK하이닉스의 선점 효과는 적어도 올해까지는 유지될 가능성이 크다”고 분석했다.