삼성전자 반도체, 2~3년 내 1위 탈환 예고…경계현 "1분기 실적 궤도 오를 것"

12단 HBM 선행 통해 HBM 시장 주도권 확보
반도체연구소 양적·질적 2배 키울 것
올해 매출 2022년 수준 회복 전망

경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문장(사장).

[파이낸셜뉴스] 경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문장(사장)은 20일 "올해 DS 부문은 강건한 사업경쟁력 및 초일류 기술리더십 확보, 도전하는 조직문화 구축 등 3가지 다짐을 실행하겠다"고 밝혔다.

경 사장은 이날 경기 수원시 수원컨벤션센터에서 개최된 삼성전자 정기주주총회 '2024년 사업전략 공유 및 주주와의 대화'에서 "메모리는 12나노미터(1nm=10억분의1m) 32기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램을 활용한 128기가바이트(GB) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 고대역폭메모리(HBM) 선행을 통해 HBM3(HBM 4세대)·HBM3E(HBM 5세대) 시장의 주도권을 찾을 계획"이라고 말했다. 삼성전자는 2~3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾는다는 목표다.

경 사장은 "D1c D램, 9세대 V낸드, HBM4 등과 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대 및 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침"이라고 강조했다.

삼성전자는 올해 글로벌 반도체 시장이 6300억달러로, 전년 대비 크게 성장할 것으로 봤다. DS 부문의 매출도 2022년 수준으로 회복할 것으로 점쳐졌다. 반도체 시장 규모는 AI 시장 급성장에 힘입어 2030년 1조3000억달러까지 커질 것으로 봤다.

경 사장은 "올해 1월부터 반도체 사업은 적자를 벗어나 흑자 기조로 돌아섰다"며 "액수를 말하기는 어렵지만, 올해 1·4분기 실적이 어느정도 궤도에 올라간 모습을 볼 수 있을 것"이라고 전했다.

경 사장은 "파운드리(반도체 위탁생산)는 업계 최초 게이트올어라운드(GAA) 3나노 공정으로 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 제품의 안정적인 양산을 시작하고 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획"이라며 "오토모티브, 라디오파(RF) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 4·5·8·14나노 공정의 성숙도를 높여 고객 포트폴리오를 확대할 방침"이라고 했다.

경 사장은 "시스템LSI사업부의 시스템온칩(SoC) 사업은 플래그십 SoC의 경쟁력을 더욱 높이고 오토모티브 신사업 확대 등 사업구조를 고도화 할 계획"이라며 "이미지센서는 일관 개발·생산 체계를 구축하고 픽셀 경쟁력을 강화한 차별화 제품으로 다양한 시장 진출을 추진할 것"이라고 말했다.

시스템LSI사업부는 디스플레이구동칩(DDI), 전력관리반도체(PMIC) 사업 구조를 개선하고, 공급망관리(SCM) 효율을 높여 원가 경쟁력을 개선할 방침이다.

삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다.

지난해 시작한 어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5차원(D) 제품으로 1억달러 이상 매출을 올릴 것으로 예상된다.

또 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 차세대 전력 반도체와 증강현실(AR) 글래스를 위한 마이크로 발광다이오드(LED) 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 방침이다.

삼성전자 DS부문은 2030년까지 기흥 연구개발(R&D) 단지에 20조원을 투입하는 등 연구개발에 과감한 투자를 아끼지 않을 방침이다.

반도체연구소는 양적·질적 측면에서 두배로 키울 계획이다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 방침이다.

R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장기반을 강화하는 선순환구조를 구축할 예정이다.

mkchang@fnnews.com 장민권 기자