로이터 “삼성, HBM 생산 공정에 하이닉스 기술 도입”...삼성 “사실 아니다”

삼성전자가 최근 인공지능(AI) 열풍 속 고대역폭메모리(HBM)의 수율을 높이기 위해 경쟁사인 SK하이닉스 기술 도입을 준비하고 있다고 로이터통신이 13일 보도했다.

이날 로이터통신은 복수의 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 ‘몰디드 언더필’(MUF) 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 전했다.

한 소식통은 “MUF 기술을 도입하는 것은 SK하이닉스가 사용한 기술을 따르는 것이기 때문에 삼성 입장에선 다소 자존심이 상하는 일이다”고 말했다.

AI 반도체의 필수 부품으로 꼽히는 HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품을 말한다.

현재 삼성전자는 HBM 패키징에서 칩과 칩 사이에 필름을 넣어 연결하는 비전도성 필름(NCF) 기술을 이용하고 있다.

반면 SK하이닉스는 칩 사이 공간에 특수 물질을 채워 넣어 붙이는 ‘매스 리플로우 몰디드 언더필(MR MUF)’ 기술을 사용 중이다.

소식통들은 삼성전자가 HBM 칩 생산에 기존 NCF 기술과 MUF 기술을 모두 사용할 계획이라고 전하기도 했다.

업계에 따르면 삼성전자의 HBM3 칩 수율은 10∼20%가량인 반면, SK하이닉스는 60∼70% 수준이라고 알려졌다.

이로 인해 삼성전자는 SK하이닉스·마이크론과 달리 HBM에 대한 수요가 급증하고 있는 상황에서도 이 분야 선두인 엔비디아와 HBM 칩 공급 계약을 맺지 못한 상태다.

로이터통신은 이같은 원인 중 하나로 애널리스트 등을 인용, 일부 생산상의 이슈가 있는 NCF 방식을 고수했기 때문이라고 전했다.

이같은 보도에 삼성전자는 ‘사실 무근’이라는 입장이다.

삼성전자는 내부적으로 개발한 NCF 기술이 HBM 생산에 최적화됐다고 평가하면서, 차세대 HBM 제품인 HBM3E 칩 생산에도 사용할 예정이라고 밝혔다.

앞서 삼성전자는 ‘어드밴스드 TC-NCF’ 기술을 깜짝 발표해 주목을 받기도 했다.

이 기술은 TC-NCF 방식에 필수적인 필름의 두께를 줄여 반도체 적층 수를 늘리면서 HBM의 높이는 유지할 수 있는 기술을 말한다. 삼성전자는 HBM 공정 개선에 힘쓰고 있다.

반도체 업계에서는 MUF 장비가 HBM 뿐 아니라 다른 반도체 공정에도 쓰일 수 있다고 보고 있다.

매일경제