로이터 “삼성, AI 반도체 생산에 SK하이닉스 선호 기술 도입”…삼성은 부인

인공지능(AI) 열풍에 따른 고성능 반도체 경쟁이 심화하고 있는 가운데 삼성전자가 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획이라고 로이터통신이 소식통을 인용해 13일(현지 시각) 보도했다.

로이터통신은 3명의 소식통을 인용해 “삼성이 최근 ‘몰디드 언더필’(MUF) 기술을 처리하도록 설계된 반도체 제조 장비를 주문했다”고 전했다. 한 소식통은 로이터통신에 “삼성전자는 일본 나가세 등 소재 제조사들과도 협의 중”이라고 말했고, 또 다른 소식통은 “MUF 재료를 조달하기 위해 삼성전자가 더 많은 테스트를 수행해야 하기에 MUF를 사용한 고급 반도체 대량 생산은 내년까지 준비될 가능성이 낮다”고 말했다.

서울 서초구 삼성전자 본사에 회사기가 펄럭이고 있다. / 뉴스1

오픈AI가 내놓은 ‘챗GPT’와 같은 생성형 AI에 대한 관심이 뜨거워지면서, 고대역폭 메모리(HBM) 반도체에 대한 수요는 급증했다. 하지만 삼성전자는 AI 관련 반도체 선두 주자인 미국 반도체 업체 엔비디아와 HBM 반도체 공급 계약을 맺지 못했다. 반면 SK하이닉스, 미국 마이크론은 엔비디아와 HBM 반도체 공급 계약을 맺고, 최신 HBM 반도체를 공급한다.

로이터통신은 “삼성전자가 뒤처진 이유 중 하나는 생산성 문제가 있는 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수했기 때문”이라며 “SK하이닉스는 NCF의 약점을 보완하기 위해 MR-MUF 방식으로 전환했다”고 설명했다. 이어 “삼성이 최신 HBM 반도체에 NCF와 MUF 기술을 모두 사용할 계획”이라고 전했다.

한 소식통은 로이터통신에 “삼성은 HBM 반도체 수율을 높이기 위해 뭔가를 해야 했다”며 “결국 SK하이닉스가 사용한 기술을 따르게 된 것은 삼성전자 입장에선 다소 자존심이 상하는 일”이라고 말했다. 업계에 따르면 삼성전자의 HBM3 칩 수율은 약 10∼20%지만, SK하이닉스의 HBM3 칩 수율은 약 60∼70% 수준이다.

한편, 삼성전자는 자체 개발한 NCF 기술이 HBM 반도체를 위한 “최적의 솔루션”이라는 입장이다. 삼성전자는 “우리는 HBM 사업을 계획대로 진행하고 있다”며 해당 보도를 부인했다.

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