로이터 "삼성도 HBM 생산에 MUF 도입"…삼성 "계획 없다"

HBM서 SK 1위 만든 MR-MUF 공정
로이터 "삼성도 MUF 장비 주문 계획"
삼성전자 "기존 HBM 공정 유지할 것"

[이데일리 김응열 기자] 삼성전자가 인공지능(AI)향 고대역폭메모리(HBM) 제조에 SK하이닉스 방식의 공정을 도입하기 위해 관련 장비 구매에 나설 것이라는 보도가 나왔다. 다만 삼성전자는 기존 자사의 공정을 유지하고 있다며 부인했다.

로이터통신은 13일 복수의 익명 소식통을 인용해 “삼성전자(005930)가 최근 ‘MUF’ 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매에 나서기로 했다”고 보도했다. 한 소식통은 “삼성전자는 HBM 수율을 높이기 위해 무엇인가 해야 했다”고 언급했다.

HBM은 D램을 여러 개 쌓아 만든 메모리다. D램 사이에 D램간 가교 역할을 하는 범프를 연결해 제조한다. 이때 삼성전자는 D램 사이에 비전도성필름(NCF)을 넣은 뒤 열로 압착하는 ‘TC-NCF’ 방식을 이용해 HBM을 만든다.

반면 SK하이닉스는 D램을 쌓아 붙인 뒤 열을 가해 1차 납땜을 한 후 D램 사이에 끈적한 액체를 흘려넣어 단단하게 굳히는 ‘MR-MUF’ 방식으로 HBM을 만든다. SK하이닉스의 방식이 대량생산에 유리하다는 게 업계와 전문가들의 평가다.

로이터는 HBM 시장에서 SK하이닉스가 삼성전자를 앞서는 이유로 이 같은 공정의 차이를 지목하면서, 삼성전자가 이 같은 상황을 역전하기 위해 MUF 장비 구매에 나섰다고 분석했다.

다만 삼성전자는 이 같은 보도를 부인했다. 기존의 공정을 유지하면서 단점을 개선하겠다는 계획이다. 삼성전자 관계자는 “HBM 제조에 MR-MUF 방식을 도입할 계획은 없다”고 말했다.

김응열 (keynews@edaily.co.kr)

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