로이터 "삼성, 첨단 칩 생산에 'SK하이닉스처럼' MUF 기술 도입 계획"

인공지능(AI) 붐에 따른 수요 급증에 대응해 반도체 업계의 고성능 반도체 경쟁이 가열되는 가운데, 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스가 사용하는 반도체 제조 기술을 도입할 계획인 것으로 전해졌습니다.

로이터통신은 오늘(13일) 복수의 익명 소식통을 인용해 삼성전자가 최근 '몰디드 언더필'(MUF) 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 주문했다고 보도했습니다.

한 소식통은 "삼성전자로서는 고대역폭 메모리(HBM) 수율을 높이기 위해 뭔가 해야 했다"면서 "MUF 기술 도입은 삼성전자에는 조금은 자존심을 버리는 일이다. SK하이닉스가 먼저 사용한 기술을 결국 따르게 됐기 때문"이라고 평가했습니다.

삼성전자는 AI 붐으로 HBM에 대한 수요가 증가하는 상황에서도 SK하이닉스·마이크론과 달리 이 분야 선두인 엔비디아와 HBM 칩 공급 계약을 맺지 못한 상태입니다.

로이터는 애널리스트 등을 인용해 삼성전자가 경쟁에서 뒤지는 이유 중 하나로 일부 생산상의 이슈가 있는 비전도성 필름(NCF) 방식을 고수했기 때문이라고 봤습니다. 반면 SK하이닉스는 NCF의 문제점에 대응해 MR(매스 리플로우)-MUF 방식으로 바꿨고 엔비디아에 HBM3 칩을 공급하게 됐습니다.

삼성전자의 HBM3 칩 수율은 10∼20%가량인 반면, SK하이닉스는 60∼70% 수준이라는 시장 추산이 나오는 상황입니다.

삼성전자는 또 MUF 재료를 공급받기 위해 일본 나가세 등 관련 업체와 협상 중이라고 한 소식통은 전했다. 소식통은 삼성전자가 테스트를 더 해야 하는 만큼 MUF를 이용한 고성능 칩 대량 생산이 일러도 내년까지는 준비되기 어려울 것으로 봤습니다.

한 소식통은 삼성전자의 HBM3 칩이 아직 엔비디아 공급을 위한 과정을 통과하지 못했다고 밝혔습니다.

소식통들은 삼성전자가 HBM 칩 생산에 기존 NCF 기술과 MUF 기술을 모두 사용할 계획이라고 말하기도 했습니다.

삼성전자는 내부적으로 개발한 NCF 기술이 HBM 생산에 최적 설루션이라고 평가하면서, HBM3E 칩 생산에 사용할 예정이라고 밝혔습니다. 이어 "우리는 계획대로 HBM3E 생산 사업을 진행 중"이라고 말했습니다.

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