[특징주] 와이씨켐, SK하이닉스 16단 HBM 최초 공개 소식에 'TSV' 공정 국내 첫 국산화 부각

SK하이닉스가 이달 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다는 소식에 고대역폭메모리(HBM) 생산의 필수 공정으로 꼽히는 실리콘관통전극(TSV)용 포토레지스트리 공정을 처음 국산화한 와이씨켐 주가가 강세다.

14일 오후 1시53분 기준 와이씨켐 주가는 전일 대비 660원(5.19%) 오른 1만3380원에 거래되고 있다.

SK하이닉스는 오는 20일 국제고체회로학회(ISSCC) 2024 컨퍼런스에서 16단으로 쌓아올린 HBM3E 칩 기술을 세계 최초로 공개한다.

학회 오전에 열리는 메모리 세션을 통해 단일 스택에서 1280GB/s를 처리할 수 있는 16단 48기가바이트(GB) HBM3E를 업계 최초로 선보일 계획이다.

16단은 현존하는 최고층 12단 HBM3E 보다 한 단계 더 진화한 기술이다. HBM은 D램 칩을 쌓을수록 용량이 확대되는데 16단의 경우 12단과 같은 높이에 더 많은 D램을 탑재해야 하기 때문에 D램 두께를 더 얇게 만드는 최신 공법이 필요하다.

SK하이닉스는 이번에 공개하는 16단 HBM3E에 대해 적층을 최적화하기 위해 저전력을 강화한 TSV 설계를 새롭게 적용했다고 밝혔다.

특히 본격적인 인공지능(AI) 시대 개화로 HBM 수요가 대폭 늘어날 것을 대비해 제작 필수 공정으로 꼽히는 TSV 투자를 대대적으로 확대할 것이라고 예고했다.

김우현 SK하이닉스 부사장(CFO)은 지난달 말 2023년 4분기 컨퍼런스콜에서 "최근 기업들의 AI 도입과 개인의 AI 수용도 증가로 중장기 HBM 수요는 연평균 60% 수준의 성장을 예상한다"며 "올해 AI 수요 증가 대응을 위한 선단 공정 제품의 양산 확대와 함께 작년 대비 올해 TSV 캐파를 약 2배 확대할 것"이라고 밝혔다.

이같은 소식에 국내에서는 처음으로 TSV용 포토레지스트리 국산화에 성공한 와이씨켐이 주목받으며 매수세가 몰리고 있다.

실제 와이씨켐은 차세대 D램으로 손꼽히는 고대역폭메모리(HBM) 시장의 성장에 발맞춰 TSV용 포토레지스트를 국산화해 국내 반도체 기업에 공급하고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스를 모두 고객사로 두고 있으며 매출의 70% 이상이 SK하이닉스에서 나온다.

TSV 공정은 수직 형태로 직접 칩을 연결할 수 있기 때문에 공간 확보에 유리하고 크기도 작아 방대한 양의 데이터를 빠르게 학습, 처리할 수 있어 HBM 제작에 필수 공정으로 꼽히고 있다.

이지운 기자 lee1019@mt.co.kr
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